发明专利 已授权

一种制备超密集热点空间结构的方法

📄 申请号:CN202111580593.X 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2021-12-22
公开号
CN114231930B
公开日
2023-10-17
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

表面增强拉曼散射, 生物医学检测, 光催化, 纳米光子学器件

摘要

本发明公开了一种制备超密集热点空间结构的方法,本发明以银、二氧化硅共溅射为基础,使用HF腐蚀二氧化硅形成密集缝隙热点为思路制备上下两层金属结构。用旋涂的方法将掺杂银纳米颗粒的PVA胶搭建在两层金属膜中间,以控制两层金属膜间距,这样掺杂在PVA胶中银纳米颗粒和上下两层金属颗粒薄膜形成交错的空间结构。最后对样品进行化学腐蚀,有效超密集热点的空间结构。本发明使得银纳米颗粒在空间错杂排布,大大增强其拉曼强度,形成空间超密集热点分布。采用了物理化学共同处理的手段。提出一个崭新的实验方案设计并制备了所要获得的纳米图案。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN114231930B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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