发明专利 已授权

基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器

📄 申请号:CN201910418721.7 📄 发布日:2026/07/23

著录项目信息

申请日
2019-05-20
公开号
CN110046472B
公开日
2023-11-10
申请人
成都师范学院
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电路仿真, 神经网络硬件实现, 信号处理, 非易失存储技术, 非线性电路设计

摘要

本发明公开了基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器,包括积分运算电路、乘法器M1和电阻R2,积分运算电路包括电流传输器U1、电阻R1和电容C1。该二次非线性磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性,且内部积分运算电路输入电流为0,不需要在输入端串联用于避免负载效应的电压跟随器等电路。该二次非线性磁控忆阻模拟器也省去了绝对值运算电路,只需要使用5个电路元器件,结构简单,便于实现,可广泛地应用到各种忆阻电路(忆阻混沌、忆阻桥突触和忆阻神经元等电路)的设计。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN110046472B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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📋 交易方式: 委托待转让 📌 交易状态: 在售 👁️ 浏览次数:53 ❤️ 收藏人数:93 📋 项目申报: 未申报

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