发明专利已授权

一种三次非线性有源磁控忆阻模拟器

📄 申请号：CN201910418681.6 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2019-05-20

公开号

CN110008652A

公开日

2019-07-12

申请人

成都师范学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F17_50

IPC 分类号

G06F17_50

技术画像

所属领域

忆阻器忆阻器非线性电路模拟电路

应用场景

电路设计, 混沌电路, 神经形态计算, 信号处理

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摘要

本发明公开了一种三次非线性有源磁控忆阻模拟器，包括负电阻等效电路、积分运算电路、乘法器M1、乘法器M2和电阻R2，积分运算电路包括电流传输器U1、电阻R1和电容C1，负电阻等效电路包括运算放大器U2、电阻R3、电阻R4和电阻R5；该三次非线性有源磁控忆阻模拟器端口a、b的电气特性等效了磁控忆阻器的端口特性，其伏安特性曲线在二四象限，工作时能持续的向外提供能量，可广泛地应用到忆阻器需要向外提供能量的忆阻电路(如，蔡氏忆阻电路)。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

基于电流传输器的二次非线性磁控忆阻模拟器

当前第 / 件

一种转底炉制备钒氮合金的方法

同领域国内专利 · IPC: (G06F17_50)

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议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：16 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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