发明专利已授权

基于金属微腔的半导体激光器及其制作方法

📄 申请号：CN201810620451.3 📄 发布日：2026/07/20

著录项目信息

申请日

2018-06-15

公开号

CN108879322B

公开日

2023-05-09

申请人

华侨大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01S5_10

IPC 分类号

H01S5_10

技术画像

所属领域

半导体激光器半导体激光器金属微腔光电子器件

应用场景

光通信, 激光传感, 光互连, 半导体激光器制造

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摘要

本发明提供了一种基于金属微腔的半导体激光器及其制作方法，包括第一硅衬底、金属反射镜以及依次设置于所述硅衬底上的环氧树脂层、金属膜、金属层、绝缘介质层、有源层；所述金属反射镜的一端穿过所述有源层及绝缘介质层与所述金属膜抵接，所述金属反射镜的另一端暴露于空气中，所述金属层和金属反射镜组成一金属腔，作为半导体激光器的光学谐振腔。应用本技术方案可实现金属腔损耗小，不仅可以提高微腔的品质因子还可以降低激光的振荡阈值。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

晶片侧面打码读码存储一体机及其使用方法

当前第 / 件

一种基于金属腔的表面等离激元激光器

同领域国内专利 · IPC: (H01S5_10)

H01S5_00 H01S5_02 H01S5_022 H01S5_023 H01S5_02315 H01S5_0232 H01S5_02326 H01S5_0237 H01S5_024 H01S5_026 H01S5_028 H01S5_042 H01S5_06 H01S5_0687 H01S5_10 H01S5_11 H01S5_183 H01S5_20 H01S5_34 H01S5_343 H01S5_36 H01S5_40 H01S5_50 覆盖23个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：22 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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