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本发明提供了一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用，包含GaAs衬底和GaAs间隔层，具体是利用MOCVD方法在GaAs衬底上交替生长量子阱InGaAs和势垒AlGaAs，并在每个InGaAs/AlGaAs阱垒界面处均插入一层GaAs间隔层，有效的减小了In、Al原子偏析的长度，并且减小了AlGaAs势垒厚度，避免了In的扩散，降低了外延生长InGaAs量子阱的难度，有助于提高激光器的内量子效率，增强其光电性能。

本发明公开了一种基于二硫化钼的表面等离子体激元的纳米激光器，包括：半导体纳米线、上SiO2层、MoS2层、下SiO2层、金属纳米线以及包裹金属纳米线的SiO2层，其中：上SiO2层和下SiO2层的横向中间位置均设置有空气槽，上SiO2层和下SiO2层之间被MoS2层间隔；半导体纳米线位于上SiO2层之上，并与上SiO2层横向中间位置的空气槽通过两个交点相连；金属纳米线位于下SiO2层下方，且包裹在SiO2层内部，金属纳米线与下SiO2层横向中间部分的空气槽通过一个交点相连。本发明的能量损耗小，可以在室温下实现，阈值更小，能合理平衡能量损耗与局域模限制，方便制造，尺寸更小，阈值更小，综合性能更优。