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本发明公开了高效耦合的硅基异质集成半导体光放大器结构及制备方法，其中，器件结构包括：衬底层，包括硅衬底层和埋氧SIO2层；硅波导，位于衬底层之上，包括第一硅波导部分和第二硅波导部分，沿预设方向排布，第一硅波导部分和第二硅波导部分之间间隔预设距离；半导体光放大器，底部设置有预设高度的卡槽结构，以通过卡槽结构两侧的槽壁使半导体光放大器卡扣在所述第一波导部分、第二波导部分及二者之间的间隙的上方；卡槽的宽度不低于硅波导的宽度，卡槽的高度不低于硅波导的厚度；覆盖层，位于半导体光放大器之上，用于集成SOA和硅波导，并保护半导体光放大器免受大气中水、氧的侵袭。本方案，集成工艺较为简单，且不存在浪费SOA外延材料的现象。