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本发明公开了一种低阈值表面等离子体纳米激光器,包括:增益介质纳米线、第一SiO2层、石墨烯纳米带、第二SiO2层、金属纳米线以及空气槽,其中:石墨烯纳米带包裹在金属纳米线上;第一SiO2层、空气槽、第二SiO2层均设置在石墨烯纳米带上方,且第一SiO2层和第二SiO2层对称设置在空气槽的两侧;增益介质纳米线设置在第一SiO2层和第二SiO2层的上方,空气槽将增益介质纳米线和石墨烯纳米带间隔开;空气槽与两侧的第一SiO2层、第二SiO2层的连接处形成两条棱,增益介质纳米线通过这两条棱分别与第一SiO2层、第二SiO2层相连。本发明能量损耗小,可以在室温下实现,阈值更小,动力学过程超快,光波长可调谐,尺寸更小,结构简单,综合性能更优。
📄 2018108464498 📂 H01S5_20 👤 武汉工程大学 📅 2018-07-27
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发明 已授权

一种低阈值表面等离子体纳米激光器

2018108464498 · 武汉工程大学
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🔋 高能量密度固态电解质材料与制备工艺
预算:¥50-100万截止:2026-08-30发布方:××新能源科技响应:8人

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固态锂电池电解质专利包

转让方:中国科学院××研究所
受让方:××新能源科技有限公司
交易类型:独占许可
交易金额:¥320万
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
受让方:××生物医药有限公司
交易类型:转让
交易金额:¥1,200万

SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
受让方:××汽车电子集团
交易类型:转让
交易金额:¥680万
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钙钛矿光伏组件技术

转让方:××科技公司
受让方:××能源集团
交易类型:开放许可
交易金额:¥50万/年