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本发明提供了一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用，包含GaAs衬底和GaAs间隔层，具体是利用MOCVD方法在GaAs衬底上交替生长量子阱InGaAs和势垒AlGaAs，并在每个InGaAs/AlGaAs阱垒界面处均插入一层GaAs间隔层，有效的减小了In、Al原子偏析的长度，并且减小了AlGaAs势垒厚度，避免了In的扩散，降低了外延生长InGaAs量子阱的难度，有助于提高激光器的内量子效率，增强其光电性能。

📄 2021100544320 📂 H01S5_343 👤 陕西科技大学 📅 2021-01-15

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一种InGaAs/AlGaAs阱垒外延层结构的优化方法及其应用

2021100544320 · 陕西科技大学

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