一种具备高出光率的vcsel激光器，包括底座，所述底座上端设有第一芯片，底座外周处固接有多个向上端内侧倾斜的侧架，侧架内壁分别设有套架，套架内壁分别设有长滑块，长滑块内侧端分别设有分部在第一芯片外周的第二芯片，长滑块外侧端分别设有可转动的连接轴，所述长滑块两侧内壁分别设有与套架相配合的第一摩擦柱，套架两侧内壁分别设有与侧架相配合的第二摩擦柱，所述连接轴转动时可构成两个第一摩擦柱、第二摩擦柱同步向内侧移动，使长滑块与套架可相对滑动、套架与侧架可相对滑动的结构；在多组传输时可适应不同光纤传输器。
📄 2022219536491
📂 H01S5_02315
👤 信阳市谷麦光电子科技有限公司
📅 2022-07-27
本实用新型提供的一种量子高反射率VCSEL激光器件，采用反射率极高的半导体DBR结构可以得到足够高的增益，可以做到极低的损耗，而且能够产生高质量光束，还设有固定装置使得激光器件定位简单方便拆装检修，其解决的技术方案是，包括壳体，壳体内部底端设有固定装置，通过固定装置连接有激光模块,激光模块上方从下往上依次设有位于壳体内部腔体的准直镜头和DOE扩散片，激光模块内部从下到上依次设有衬底、N型接触层、N型DBR，量子阱有源区、氧化限制层、P型DBR和P型接触层，N型DBR和P型DBR中间区域构成谐振腔，本实用新型集高输出功率和高转换效率和高质量光束等优点于一身。
📄 202121942650X
📂 H01S5_183
👤 谷麦光电科技股份有限公司
📅 2021-08-18
本发明公开了一种半导体光纤耦合激光器，其技术方案要点是包括芯片模块和镜模块，其特征是：镜模块包括有第一慢轴准直镜和快轴压缩镜组，芯片模块包括有第一strip镜、第一芯片组和第二芯片组，第一芯片组与第二芯片组呈a角度安装，第二芯片组与第一strip镜呈b角度安装；第一芯片组所发出的光束通过第一strip镜沿第一方向透射而出，第二芯片组所发出的光束通过第一strip镜后沿第一方向反射而出，慢轴准直镜突出面远离芯片模块设置，快轴压缩镜组与慢轴准直镜突出面相对设置。本发明通过结构的改进对输出光场进行了整形使光线平行输出，增加了芯片的寿命以及光束质量，还使光纤耦合模块耦合效率提升。
📄 2023102277855
📂 H01S5_0225
👤 温州泛波激光有限公司
📅 2023-03-06
本发明公开了一种低热阻BAR条封装工艺，包括以下步骤：在热沉侧面开设进出水道，在热沉上通过激光加工获得冷却水槽，同时冷却水槽两端加深与进出水道连通；通过焊接的方式在冷却水槽上焊接金属板，该金属板将冷却水槽完全覆盖；将热沉与电镀工装安装，所述电镀工装上设有电镀腔，所述金属板容纳于电镀腔中；通过电镀工装对金属板表面以及金属板和水道的连接处进行电镀形成电镀层；将电镀层进行表面平面度处理；将热沉与芯片之间叠加电阻层形成封装体；将封装体进行加热焊接，通过激光加工的方式使得冷却水槽内壁厚度大幅度减小，从而增大了冷却面积，焊接金属板后通过电镀的方式形成电镀层能够形成良好的密封环境。
📄 2021111690299
📂 H01S5_02315
👤 温州泛波激光有限公司
📅 2021-09-30
本发明公开了一种基于多模外腔半导体激光器的高稳定度光学微波发生器，包括多模外腔半导体激光器和激光稳频回路；多模外腔半导体激光器包括依序设置在光路上的激光二极管、准直透镜、干涉滤光片、衰减片、激光腔镜和压电陶瓷；激光二极管发出的相干光束经过准直透镜准直后进入干涉滤光片被选模，被选模的平行光经衰减片到达激光腔镜，经激光腔镜反射后得到反射光；反射光在激光腔镜与激光二极管的输出光端面构成的谐振腔中振荡、放大，超过激光器振荡阈值后经激光腔镜输出多模激光；多模激光经激光稳频回路将多模激光的一个模式锁定到原子跃迁频率上。本发明能够直接由光频信号拍频得到微波信号，产生的多模激光稳定性高且易于实现。
📄 2023104742423
📂 H01S1_02
👤 南京邮电大学
📅 2023-04-28
本发明公开了一种基于模间隔锁定的高稳定度多模外腔半导体激光器，属于半导体激光器技术领域。多模外腔半导体激光器包括依序设置在光路上的激光二极管、准直透镜、干涉滤光片、衰减片、激光腔镜和压电陶瓷，在多模外腔半导体激光器的输出端光路上设有模间隔锁定回路。通过干涉滤光片能够对激光二极管产生的光束进行选模，衰减片能够调节反馈率，压电陶瓷能够控制腔长，通过多模外腔半导体激光器能够输出多模激光，而模间隔锁定回路则可以将多模激光的模间隔锁定在微波信号上，实现稳定的多模输出。本发明激光器能够输出稳定的多模激光，能够作为多模式的激光参考源，可以用于标定激光频率。
📄 2023104742160
📂 H01S5_14
👤 南京邮电大学
📅 2023-04-28
本发明公开了一种基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法，包括：p电极、P‑GaN层、InGaN有源层、N‑GaN层、N‑电极和光子晶体层。相比传统面发射型激光器在P‑GaN层集成光子晶体微纳结构，本发明采用了薄膜翻转工艺从而实现了N‑GaN表面制备光子晶体结构，解决了表面集成光子晶体型GaN面发射激光器的载流子注入问题，该新的器件结构利于实现电泵激光和优异的激光激射性能。
📄 2021112374119
📂 H01S5_11
👤 南京邮电大学
📅 2021-10-22
本发明公开了一种基于级联调制光注入半导体激光器产生平坦宽带微波频率梳的装置及方法，涉及微波光子技术领域。本发明包括信号源模块、直接调制模块、直调光注入模块、相移器、相位调制器、相调光注入模块、光环形器、半导体激光器、探测模块，信号源模块，用于提供直接调制和相位调制所需的电信号。本发明的发生器因采用直接调制结构产生种子光学频率梳，具有易于实现，便于调谐等优点，只需简单改变直调电信号的频率fm，就能实现梳距的连续调节；采用直接调制与相位调制的级联结构，能够避免电子器件的带宽限制,产生宽带的频率梳信号；采用相移器去匹配直接调制信号与相位调制信号的相位，可在一定程度上均衡各梳线的功率。
📄 2021110671430
📂 H04B10_50
👤 西南大学
📅 2021-09-13
本发明涉及半导体激光器调频干涉传感及测量技术领域，具体涉及一种关于半导体激光器调频干涉信号非线性的校正方法。一种用于消除半导体激光器调频干涉信号非线性的校正方法，通过构建二阶或二阶以上多项式时域变换关系，对调频连续波激光干涉测量系统的拍频干涉信号，提取几个相邻极值点的时间位置，建立关于调制变换系数的多元线性方程组并求解得到调制变换系数的实际数值，带入所构建的二阶或者二阶以上多项式时域变换关系，对实测拍频信号进行变换，从而实现对半导体激光器调频连续波干涉信号非线性的校正，本方法可用于各种基于半导体激光器的调频连续波干涉测量系统，提高以半导体激光器为发射光源的光学调频连续波干涉测量系统的测量精度。
📄 2018104597433
📂 G01B9_02
👤 西安工业大学
📅 2018-05-15
本发明涉及光学调频连续波干涉测量技术领域，具体涉及一种半导体激光器非线性调频预校正方法。本发明通过测出每个调制周期中干涉信号波形的极值点在时间轴上的实际位置及其与理想位置的偏差，来确定半导体激光器调频非线性大小，再根据此偏差平移激光调制信号波形对应点在时间轴上的位置，经过分段插值或非线性拟合得到校正后的激光器调制波形，从而实现对半导体激光器调频连续波干涉非线性的校正。本方法可以利用计算机辅助检测，通过反复迭代得到最佳调制波形，从而提高非线性矫正精度，可用于各种基于半导体激光器的调频连续波干涉测量系统，提高其测量精度。
📄 2019105026208
📂 G01B9_02
👤 西安工业大学
📅 2019-06-11
本发明提供了一种基于金属微腔的半导体激光器及其制作方法，包括第一硅衬底、金属反射镜以及依次设置于所述硅衬底上的环氧树脂层、金属膜、金属层、绝缘介质层、有源层；所述金属反射镜的一端穿过所述有源层及绝缘介质层与所述金属膜抵接，所述金属反射镜的另一端暴露于空气中，所述金属层和金属反射镜组成一金属腔，作为半导体激光器的光学谐振腔。应用本技术方案可实现金属腔损耗小，不仅可以提高微腔的品质因子还可以降低激光的振荡阈值。
📄 2018106204513
📂 H01S5_10
👤 华侨大学
📅 2018-06-15
一种具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器，包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P型欧姆电极；N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流扩展层形成有台肩，台肩的底部延伸至N‑型半导体传输层，暴露的N‑型半导体传输层上设有N型欧姆电极；本申请实现对电子的阻挡效应，限制电子从MQWs中泄露，促进空穴注入与其发生辐射复合，通过InGaN的插入，会引入势垒，提高辐射复合速率，提高VCSEL光输出功率和光电转换效率，从而提高器件的性能。
📄 2021231474118
📂 H01S5_183
👤 天津赛米卡尔科技有限公司
📅 2021-12-15
已申报项目
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