本发明公开了一种基于级联调制光注入半导体激光器产生平坦宽带微波频率梳的装置及方法，涉及微波光子技术领域。本发明包括信号源模块、直接调制模块、直调光注入模块、相移器、相位调制器、相调光注入模块、光环形器、半导体激光器、探测模块，信号源模块，用于提供直接调制和相位调制所需的电信号。本发明的发生器因采用直接调制结构产生种子光学频率梳，具有易于实现，便于调谐等优点，只需简单改变直调电信号的频率fm，就能实现梳距的连续调节；采用直接调制与相位调制的级联结构，能够避免电子器件的带宽限制,产生宽带的频率梳信号；采用相移器去匹配直接调制信号与相位调制信号的相位，可在一定程度上均衡各梳线的功率。
📄 2021110671430
📂 H04B10_50
👤 西南大学
📅 2021-09-13
本发明涉及半导体激光器调频干涉传感及测量技术领域，具体涉及一种关于半导体激光器调频干涉信号非线性的校正方法。一种用于消除半导体激光器调频干涉信号非线性的校正方法，通过构建二阶或二阶以上多项式时域变换关系，对调频连续波激光干涉测量系统的拍频干涉信号，提取几个相邻极值点的时间位置，建立关于调制变换系数的多元线性方程组并求解得到调制变换系数的实际数值，带入所构建的二阶或者二阶以上多项式时域变换关系，对实测拍频信号进行变换，从而实现对半导体激光器调频连续波干涉信号非线性的校正，本方法可用于各种基于半导体激光器的调频连续波干涉测量系统，提高以半导体激光器为发射光源的光学调频连续波干涉测量系统的测量精度。
📄 2018104597433
📂 G01B9_02
👤 西安工业大学
📅 2018-05-15
本发明涉及光学调频连续波干涉测量技术领域，具体涉及一种半导体激光器非线性调频预校正方法。本发明通过测出每个调制周期中干涉信号波形的极值点在时间轴上的实际位置及其与理想位置的偏差，来确定半导体激光器调频非线性大小，再根据此偏差平移激光调制信号波形对应点在时间轴上的位置，经过分段插值或非线性拟合得到校正后的激光器调制波形，从而实现对半导体激光器调频连续波干涉非线性的校正。本方法可以利用计算机辅助检测，通过反复迭代得到最佳调制波形，从而提高非线性矫正精度，可用于各种基于半导体激光器的调频连续波干涉测量系统，提高其测量精度。
📄 2019105026208
📂 G01B9_02
👤 西安工业大学
📅 2019-06-11
本发明提供了一种基于金属微腔的半导体激光器及其制作方法，包括第一硅衬底、金属反射镜以及依次设置于所述硅衬底上的环氧树脂层、金属膜、金属层、绝缘介质层、有源层；所述金属反射镜的一端穿过所述有源层及绝缘介质层与所述金属膜抵接，所述金属反射镜的另一端暴露于空气中，所述金属层和金属反射镜组成一金属腔，作为半导体激光器的光学谐振腔。应用本技术方案可实现金属腔损耗小，不仅可以提高微腔的品质因子还可以降低激光的振荡阈值。
📄 2018106204513
📂 H01S5_10
👤 华侨大学
📅 2018-06-15
一种具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器，包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P型欧姆电极；N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流扩展层形成有台肩，台肩的底部延伸至N‑型半导体传输层，暴露的N‑型半导体传输层上设有N型欧姆电极；本申请实现对电子的阻挡效应，限制电子从MQWs中泄露，促进空穴注入与其发生辐射复合，通过InGaN的插入，会引入势垒，提高辐射复合速率，提高VCSEL光输出功率和光电转换效率，从而提高器件的性能。
📄 2021231474118
📂 H01S5_183
👤 天津赛米卡尔科技有限公司
📅 2021-12-15
已申报项目
本发明公开了一种半导体激光器脉冲电源微小电流预启动方法，该方法的实现是基于脉冲驱动电源系统；所述脉冲驱动电源系统包括输入电压源Uin、半导体激光器泵浦LD、续流二极管D、电流给定环节、闭环调节电路和采样电阻。该方法内容为：在所述脉冲驱动电源系统产生额定脉冲电流指令以前，预先产生一个较小的电流指令信号，此时半导体激光器不会发射激光，待微小电流控制稳定后，电流给定环节再产生额定脉冲电流的指令信号，然后再控制半导体激光器电流按照额定电流指令信号要求的斜率上升到所需的额定电流值。本发明解决了在脉冲电流上升过程中出现的振荡和过冲问题，以及负载电流相对于指令信号的延迟问题。
📄 2018100724660
📂 H01S5_042
👤 燕山大学
📅 2018-01-25
本实用新型公开了一种激光水平仪用激光模组发射器，包括支腿和发射器器体，支腿的顶部活动安装有仪体，发射器器体的内部固定安装有激光二极管，仪体的一侧镶嵌安装有发射窗，仪体的顶部固定安装有控制器，仪体的内部活动连接有放大机构，仪体的内部和一侧活动连接有散热机构，仪体的内腔底部可拆卸安装有电机。上述方案中，电机能够带动螺杆转动，从而使套块在螺杆上移动，就能够通过第一支杆和第二支杆将第一凸透镜和第二凸透镜移动到发射器器体和发射窗之间，第一凸透镜和第二凸透镜的两个焦点重合放置，即两个透镜之间的距离为两个焦距的和，就能够使发射器器体发出的平行光线经过两个透镜后仍然平行射出。
📄 2020229476888
📂 H01S5_0232
👤 南通晶创光电科技有限公司
📅 2020-12-11
本发明公开了一种半导体激光器用的双通道冷却装置及冷却方法，属于半导体激光器冷却领域。一种半导体激光器用的双通道冷却装置，包括冷却箱，散热翅片。本发明能够根据半导体激光器工作时产生的温度调节电机的工作电流，从而调节电机的输出功率，使得扇叶吹向散热翅片的风速不同，对散热翅片的降温程度不同，从而防止了电机长期为额定输出功率时，导致电机的使用寿命下降，防止电机的输出功率不足，导致对半导体激光器的冷却效率下降，从而实现了对半导体激光器的良好冷却，实现了利用一个驱动源对散热翅片的双重散热，从而实现了对半导体激光器的水冷和风冷的双重散热，提高了对半导体激光器的冷却效率，从而保证了半导体激光器的使用寿命。
📄 2025100463158
📂 H01S5_024
👤 桂林市三环激光科技有限公司
📅 2025-01-13
本实用新型涉及二极管温度控制技术领域，且公开了一种半导体激光二极管散热装置，包括固定环、防尘罩、连接头和激光二极管，防尘罩固定连接在固定环的上方，连接头固定连接在防尘罩的上方，激光二极管设置在固定环、防尘罩和连接头的内部，防尘罩的外侧固定连接有导热环，导热环横截面为圆的圆环，导热环的外侧等距圆周设置有多组散热翅片，导热环的外侧对应相邻两组散热翅片之间设置由吹风装置。本实用新型中，激光二极管在工作使把热量传导至导热环上，传导至导热环上的热量快速的被引导至散热翅片上进行分散，启动吹风装置，吹风装置带动气流进行移动，散热翅片上的热量被快速的传导至空气中，来进行快速的把热量带走。
📄 2022226491368
📂 H01S5_024
👤 深圳镭尔特光电科技有限公司
📅 2022-10-08
一种具有图形化结构的半导体激光器热沉及其制造方法，通过在基体上下表面预先制备了立体图形结构阵列，大幅增加了基体材料的表面积和表面化学键能，提高了与基体材料接触的功能层、过渡金属层I及过渡金属层II的粘附性的粘附性，通过在立体图形结构阵列上制造功能层，有效的结合基体材料和功能层材料热导率或热膨胀系数各自特点，调节符合材料整体的热导率或热膨胀系数，保证与半导体激光器材料本身热失配小的前提下降低热沉材料的热阻，提高散热性能，保证了激光器光电性能和可靠性。
📄 2020101179584
📂 H01S5_024
👤 济南大学
📅 2020-02-17
本实用新型适用于激光器散热技术领域，提供了一种用于半导体激光器的散热装置，所述用于半导体激光器的散热装置包括：箱体；支撑机构，与所述箱体相连接；其中所述支撑机构包括支撑组件和调节组件，所述支撑组件与调节组件相连接，用于对不同型号的半导体激光器进行支撑固定工作；散热机构，位于所述箱体内；其中所述散热机构包括导热组件以及与导热组件相配合使用的辅助组件，用于对半导体激光器进行散热处理。本实用新型结构新颖，通过支撑机构和散热机构的设置，避免高温影响半导体激光器的正常使用，提高装置的实用性。
📄 2021213952323
📂 H01S5_024
👤 深圳市楚韵激光科技有限公司
📅 2021-06-23
已申报项目
本实用新型适用于半导体封装技术领域，提供了一种用于提高散热的半导体激光器封装结构，所述用于提高散热的半导体激光器封装结构包括：封装主体以及位于封装主体内的半导体激光器主体；其中所述封装主体包括下封装板以及与下封装板相配合使用的上封装板；导热机构，与所述封装主体相连接；其中所述导热机构包括主动导热组件以及与主动导热组件相配合使用的辅助导热组件，用于对半导体激光器主体进行散热工作；以及风冷组件，用于对所述导热机构进行辅助散热工作。本实用新型结构新颖，通过导热机构和风冷组件的设置，保证了半导体激光器的正常使用。
📄 2021213950830
📂 H01S5_024
👤 深圳市楚韵激光科技有限公司
📅 2021-06-23
已申报项目
柿子坊 · 知识产权运营
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