本发明公开了一种基于薄膜翻转工艺的GaN基面发射激光器及制备方法，包括：p电极、P‑GaN层、InGaN有源层、N‑GaN层、N‑电极和光子晶体层。相比传统面发射型激光器在P‑GaN层集成光子晶体微纳结构，本发明采用了薄膜翻转工艺从而实现了N‑GaN表面制备光子晶体结构，解决了表面集成光子晶体型GaN面发射激光器的载流子注入问题，该新的器件结构利于实现电泵激光和优异的激光激射性能。
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📂 H01S5_11
👤 南京邮电大学
📅 2021-10-22
本发明提供一种基于氮化硅光子晶体的氮化镓面发射激光器及制备方法，结构包括氮化硅光子晶体衬底层、n‑GaN层、n‑电极、InGaN/GaN成对组成的量子阱有源层、p‑GaN层、p‑AlGaN层、p‑GaN重掺杂层和p‑电极。本发明工艺上利用了薄膜转移工艺形成了让具有低损耗谐振的氮化硅的光子晶体层跟GaN的有源薄膜腔相结合的结构，从而实现创新性性能的蓝光波段的激光器。基于氮化硅材料的光子晶体，其生长制备更加简便，并且实现了高Q值，低损耗，同时其与氮化镓薄膜的结合能实现在光子晶体层和有源层光场的高效耦合，有利于高性能激光器的实现。
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📂 H01S5_11
👤 南京邮电大学
📅 2021-10-22
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