本发明公开了一种硅基悬空光子晶体面发射型蓝光激光器及制备方法,包括硅衬底层、AlGaN缓冲层、n‑GaN层、n‑电极、有源层、p‑GaN层、p‑电极、以及在表面GaN刻蚀形成的光子晶体或在GaN表面生长制备的光子晶体层。本发明采用背面释放衬底并对Ⅲ‑Ⅴ族进行可控减薄的悬空结构,可以实现光场模式分布的调节及控制,从而优化得到在GaN表面光子晶体的高效耦合强度和在有源层的高耦合强度,利于低阈值激光器的实现。采用在GaN表面刻蚀形成光子晶体或在GaN表面生长制备光子晶体,方法工艺更加简便;同时未对有源层带来破坏,可以应用于电泵浦激光。
📄 2020104782624
📂 H01S5_183
👤 南京邮电大学
📅 2020-05-29
本发明公开了一种基于二氧化钛光子晶体的面发射型氮化镓基激光器及制备方法,包括蓝宝石衬底层、n-GaN层、n-AlGaN层、波导n-GaN层、n-电极、InGaN/GaN成对组成的多层量子阱有源层、p-GaN层、p-电极、TiO2光子晶体层。本发明采用了TiO2作为光子晶体层的材料,实现了对光场模式分布的有益调控,能实现在光子晶体内的高效耦合,更有利于激光器低阈值的实现。采用了在晶片表面生长制备光子晶体层,相比传统的在晶片材料内部引入光子晶体的方法更为简单方便,降低了制备加工的难度。
📄 2020104757849
📂 H01S5_183
👤 南京邮电大学
📅 2020-05-29
本发明公开了一种低能耗光通讯面发射激光器的小台面顶发射共面电极结构,由下至上依次包括GaAs基衬底、下N型布拉格反射镜、有源区、一对上P型布拉格反射镜、低电阻GaAs基隧道结、氧化限制层和上N型布拉格反射镜。本发明采用了将低电阻GaAs基隧道结和氧化限制层相结合的小尺寸圆形台面的顶发射共面电极结构,以提高光通讯激光器的高速低能耗性能。该结构选用的BCB填充,不仅能够提供平坦的GSG电极平面,还能降低器件的寄生,提高器件的调制带宽;该结构采用不同尺寸的双台面结构提高器件热耗散能力,此结构不需要额外的热沉和散热片,且能够实现器件的直接高速共面探针测试,且可以避免底发射的减薄倒置,降低加工难度。
📄 2017104258891
📂 H01S5_183
👤 青岛科技大学
📅 2017-06-08
本发明公开了一种输出空心光束的激光器及其制作方法,该激光器包括由下至上依次布设的半导体衬底、缓冲层、N型分布式布拉格反射镜层、有源区、第一高铝层、电流引导层、第二高铝层和P型分布式布拉格反射镜层,所述第一高铝层的圆周边缘设置有第一氧化限制层,所述第二高铝层的圆周边缘由内至外依次设置有第二氧化限制层和P面电极;该方法包括以下步骤:一、半导体激光器芯片的生长;二、氧化限制层的制作;三、P面电极制作;四、刻蚀孔的形成;五、N面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小,使得电流载流子汇集在有源区的圆周边缘,实现空心光束的输出,不要安装其他的光学器件,实用性强。
📄 2018108557666
📂 H01S5_183
👤 西安工业大学
📅 2018-07-31
本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法,该激光器包括半导体衬底、主激光器和种子源激光器,所述主激光器包括由下至上依次布设的第一缓冲层、第一N面电流引导层、第一有源区、第一高铝层、第一P型分布式布拉格反射镜层和第一P面电流引导层;该方法包括以下步骤:一、半导体激光器芯片的生长;二、第一氧化限制层的制作;三、第一电流阻挡层、第一N面电极和第一P面电极的制作;四、第二氧化限制层的制作;五、第二电流阻挡层、第二N面电极和第二P面电极的制作。本发明结构简单、设计合理且体积小,通过种子源激光器提高主激光器输出高功率激光光束的光束质量,并能压缩激光线宽,实用性强。
📄 2018108557740
📂 H01S5_183
👤 西安工业大学
📅 2018-07-31
本发明涉及一种输出均匀偏振光的微型激光器及其制备方法,激光器包括P面电极、P面分布布拉格反射镜、N面分布布拉格反射镜、衬底层和N面电极,所述P面分布布拉格反射镜表面制作有亚波长的金属光栅,金属光栅与P面电极相连,金属光栅的周期小于垂直腔面发射激光器的波长;所述衬底层表面为球面;衬底层朝向N面电极的一侧刻蚀有DOE层。本发明无需光束整形系统,只需要通过工艺设计以及利用器件本身的特性,即可输出平顶的偏振光,此激光器结构简单、体积紧凑微小,造价低廉,可以高度集成在某些设备中,具有非常重要的应用前景。
📄 2018114417155
📂 H01S5_183
👤 西安工业大学
📅 2018-11-29
一种具有InGaN电子减速层的VCSEL激光器,包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流限制孔、电流扩展层、介质DBR、P型欧姆电极;N‑型半导体传输层、N‑型InGaN电子减速层、多量子阱层、P‑型电子阻挡层、P‑型半导体传输层、P‑型重掺杂半导体传输层、电流扩展层形成有台肩,台肩的底部延伸至N‑型半导体传输层,暴露的N‑型半导体传输层上设有N型欧姆电极;本申请实现对电子的阻挡效应,限制电子从MQWs中泄露,促进空穴注入与其发生辐射复合,通过InGaN的插入,会引入势垒,提高辐射复合速率,提高VCSEL光输出功率和光电转换效率,从而提高器件的性能。
📄 2021231474118
📂 H01S5_183
👤 天津赛米卡尔科技有限公司
📅 2021-12-15
已申报项目
本申请提供一种垂直腔面发射激光器和电子设备,垂直腔面发射激光器包括:衬底,以及在衬底上依次层叠设置的第二反射器、第二隔离层、有源层、第一隔离层以及第一反射器,第二反射器和第一反射器之间限定出谐振腔;第一反射器包括相互层叠设置的第一光栅层和第一透明导电层,第一光栅层的材料的折射率大于第一透明导电层的材料的折射率;第一反射器上具有供激光射出的出光区域;第一透明导电层和第一光栅层均至少覆盖出光区域。本申请能够减小器件的串联电阻,减少器件的产热,提高器件的热稳定性和可靠性。
📄 2021800031845
📂 H01S5_183
👤 深圳市汇顶科技股份有限公司
📅 2021-03-15
已申报项目