发明专利 已授权

一种实现磨损逆均衡的方法

📄 申请号:CN202110640205.6 📄 发布日:2026/07/09

著录项目信息

申请日
2021-06-09
公开号
CN113535082A
公开日
2021-10-22
申请人
杭州电子科技大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

固态硬盘, 数据中心, 嵌入式存储, 消费电子, 服务器存储

摘要

本发明公开了一种实现磨损逆均衡的方法,包括以下步骤:S1,创建RAID5;S2,判断RAID5的成员盘是否全为固态硬盘;S3,是,则获取成员盘寿命;S4,延时,并对延时前后硬盘寿命的消耗程度计算硬盘寿命消耗速率;S5,判断RAID5是否降级,即判断RAID5中是否有盘寿命耗尽;是,则进行S9RAID5重构;S6,否,则计算成员盘寿命消耗速率;S7,判断磨损逆均衡启动条件,若此时有成员盘的寿命与其他硬盘寿命差值小于设定的风险阈值且该硬盘已接近老年期,即高于预设寿命阈值,则认为RAID5的安全性降低,需要启动磨损逆均衡以加大硬盘间的寿命差值,保证RAID5中只有不超过一块硬盘处于老年期;S8,磨损逆均衡,包括磨损逆均衡中的数据迁移;S9,RAID5重构。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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