发明专利已授权

一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法

📄 申请号：CN202211382878.7 📄 发布日：2026/07/02

著录项目信息

申请日

2022-11-07

公开号

CN116205192B

公开日

2026-05-29

申请人

广西师范大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_39

IPC 分类号

G06F30_39

技术画像

所属领域

仿真模型半导体器件电路仿真铁电材料仿真模型

应用场景

集成电路设计, 芯片设计, 低功耗电子器件, 半导体器件仿真, 电子设计自动化

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摘要

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法，包括基于漏极和源极的偏压计算源极面电荷密度和漏极面电荷密度，基于源极面电荷密度和漏极面电荷密度得到基准金属‑氧化物‑半导体‑场效应晶体管器件的沟道电流，计算MOSFET器件的栅极面电荷密度，基于栅极面电荷密度使用朗道‑哈拉特尼科夫方程进行计算，得到整个铁电器件的总栅压，基于沟道电流和总栅压构建整个铁电负电容晶体管的电路仿真模型。本发明所提出的电路仿真模型完全基于基本半导体器件物理方程，且具有显式的数学表达式，从而解决现有的建模方法精度较低和仿真速度慢的问题。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

调控瘤茎膨大的茎瘤芥BjuSPL10c基因、过表达载体、构建方法及其应用

当前第 / 件

一种环境艺术园林灌溉装置

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