发明专利已授权

场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型

📄 申请号：CN202311710562.0 📄 发布日：2026/05/07

著录项目信息

申请日

2023-12-13

公开号

CN117709265B

公开日

2024-07-23

申请人

燕山大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_36

IPC 分类号

G06F30_36

技术画像

所属领域

半导体器件半导体器件功率MOSFET 器件建模

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 光伏逆变器, 工业电源, 功率转换

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摘要

本发明公开了场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：GS等效电路单元、GD等效电路单元、DS等效电路单元，以及沟道区热电阻单元、场板结构单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg；GD等效电路单元和沟道区热电阻单元串联再与GS等效电路单元并联；GS等效电路单元、GD等效电路单元和沟道区热电阻单元与DS等效电路单元并联；场板结构单元与其他各结构并联。本发明能精确反映场板结构氧化镓功率MOSFET器件的物理本质，准确的模拟器件物理特性，具有设计直观、参数提取过程简单的优点，同时将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件中。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种可调式教学互动器

当前第 / 件

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