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发明专利
已授权
基于并行递进的多晶体内扰动随机孔隙模型构建方法
📄 申请号:CN202210557906.8
📄 发布日:2026/05/07
著录项目信息
申请日
2022-05-19
公开号
CN115081188B
公开日
2025-05-09
申请人
燕山大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
G06F30_20
IPC 分类号
G06F30_20
,
G06T17_20
,
技术画像
所属领域
多晶材料
多晶材料
孔隙结构模拟
计算材料学
应用场景
材料研发, 多孔材料设计, 材料性能预测, 微观结构分析, 工艺优化
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摘要
本发明涉及一种基于并行递进的多晶体内扰动随机孔隙模型构建方法,其包括以下步骤,步骤一:获取晶体材料的三维泰森多边形代表体元模型;步骤二:根据多晶代表体元模型,获得的晶粒集合的单元信息和全部节点信息;步骤三:基于并行递进确定晶粒集合的内部节点信息;步骤四:确定需要去除的孔隙集合;步骤五:对去除孔隙后模型的单元信息和内部节点信息重新编号;步骤六:建立晶体间的多孔隙模型。本发明利用泰森多边形建立晶粒集合,基于并行递进的多晶体内扰动随机方法,建立的孔隙结构模型,与实际的晶体材料的结构更为相似;本发明通过控制孔隙在不同坐标方向所占权重,能够控制孔隙的形貌,设计不同尺寸和结构的孔隙结构,使操作更加灵活。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
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