发明专利 已授权

一种碳化硅研磨表面残余应力预测方法及装置

📄 申请号:CN202510941051.2 📄 发布日:2026/05/07

著录项目信息

申请日
2025-07-09
公开号
CN120449516B
公开日
2025-09-09
申请人
华侨大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

半导体晶圆加工, 精密制造, 硬脆材料加工

摘要

本申请提供的一种碳化硅研磨表面残余应力预测方法及装置,包括:获取碳化硅材料的力学响应数据,以构建碳化硅仿真模型;设置研磨参数,用以对碳化硅仿真模型进行研磨受力模拟,得到初步的表面残余应力预测结果;通过贝叶斯推断方法和蒙特卡洛方法,基于初步的表面残余应力预测结果和研磨参数,对碳化硅仿真模型的模型参数进行优化,得到最优模型参数;利用最优模型参数和研磨参数,对碳化硅仿真模型进行研磨受力模拟,得到优化的表面残余应力预测结果。利用基于贝叶斯推断方法和蒙特卡洛方法进行参数优化后的碳化硅仿真模型进行研磨受力模拟,得到优化的表面残余应力预测结果,实现对碳化硅进行研磨后的表面残余应力进行预测。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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议价
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