发明专利 已授权

一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法

📄 申请号:CN202210759231.5 📄 发布日:2026/05/06

著录项目信息

申请日
2022-06-29
公开号
CN114997086B
公开日
2025-07-11
申请人
杭州电子科技大学,杭州电子科技大学富阳电子信息研究院有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

射频集成电路设计, 微波电路设计, 无线通信系统, 电子设计自动化, 半导体器件仿真

摘要

本发明公开了一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法,等效电路模型中有效电容的第一端与串联电感一的第二端电连接,第二端与低频寄生电阻的第一端电连接,低频寄生电阻的第二端与高频寄生电感的第一端电连接,高频寄生电感的第二端与串联电感二的第一端电连接,高频寄生电阻与高频寄生电感并联;介质电容一的第一端与串联电感一的第二端电连接,第二端与衬底寄生电容一的第一端电连接,衬底寄生电阻一与衬底寄生电容一并联。本发明的双T型等效电路模型可拟合更宽频率范围的MIM电容。

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是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN114997086B

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

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