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本发明公开了一种SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正方法，建立SiCMOSFET仿真电路模型，对SiCMOSFET仿真电路模型进行双脉冲电路仿真测试，得到仿真双脉冲测试电压电流波形图；根据SiCMOSFET仿真电路模型建立SiCMOSFET实际电路，对SiCMOSFET实际电路进行双脉冲电路测试，得到实际双脉冲测试电压电流波形图；调整门极‑漏极电容Cgd、门极‑源极电容Cgs、阈值Vth、跨导gf和源极寄生电感Ls和漏极寄生电感Ld，SiCMOSFET仿真电路模型参数精度校正完成。本发明有效提高SiCMOSFET仿真电路模型的精确性。

本发明公开了一种用于纳米工艺的电流源注入模型的建立方法，首先确定待评估的晶体管的具体参数，再基于所选纳米工艺在3D TCAD工具中对待评估的晶体管进行建模，通过3D TCAD仿真得到晶体管的等效饱和电压和阈值电压，通过3D TCAD仿真确定晶体管的等效有效收集长度和收集深度，确定待评估的离子类型，及其对应的线性传输能量，设定待评估的注入距离，最终得到相应的离子注入的电流源注入模型。本发明的电流源模型的建立方法基于扩散理论和晶体管原理，结合纳米工艺特点，通过晶体管有效收集长度和晶体管的等效饱和电压等解决解决纳米工艺下器件电荷收集能力有限的问题，从而建立了一种新型的面向纳米工艺的电流源注入模型。

本发明公开了一种GaN HEMT器件等效电路模型的参数提取方法，至少包括以下步骤：步骤S1：将GaN HEMT器件建模为小信号等效电路模型；步骤S2：基于步骤S1的模型，提取外部寄生参数；步骤S3：提取内部本征参数；步骤S1中，等效电路模型包括外部寄生参数和内部本征参数，其中，外部寄生参数不受施加的偏置电压影响，包括金属电极间寄生电容Cpg、Cpd和Cpg，外部寄生电感Lg、Ld和Ls，以及外部寄生电阻Rg、Rd和Rs；内部本征参数受器件工作时的沟道结构和偏置条件影响，包括沟道电阻Rgs、栅漏电阻Rgd、漏源输出电导Gds；各端口之间电容Cgs、Cgd、Cds；跨导gm、时延参数τ。

本发明公开了一种双T型MIM电容等效电路模型及其参数提取方法，等效电路模型中有效电容的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与低频寄生电阻的第一端电连接，低频寄生电阻的第二端与高频寄生电感的第一端电连接，高频寄生电感的第二端与串联电感二的第一端电连接，高频寄生电阻与高频寄生电感并联；介质电容一的第一端与串联电感一的第二端电连接，第二端与衬底寄生电容一的第一端电连接，衬底寄生电阻一与衬底寄生电容一并联。本发明的双T型等效电路模型可拟合更宽频率范围的MIM电容。