发明专利 已授权

脉冲混插式制备铝镓酸铋薄膜的方法

📄 申请号:CN201510766708.2 📄 发布日:2026/04/10

著录项目信息

申请日
2015-11-11
公开号
CN105274492B
公开日
2017-09-22
申请人
南通大学技术转移中心有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

电子器件, 光学薄膜, 传感器, 集成电路, 新能源器件

摘要

一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法,Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上,采用铝镓有机源脉冲混插式的自限制性表面吸附反应得到,所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法,可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控,且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料,使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。

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这项专利是否已经下证?

是的,该专利已下证,法律状态为“已下证”,公开号: CN105274492B

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该专利的转让价格是多少?

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

……

……

图1
图2
图3

法律状态时间线

20230912
?? 专利权的转移 :
20230131
⏳ 专利实施许可合同备案的生效 :
20220607
?? 专利权的转移 :
20170922
✅ 授权
20160224
?? 实质审查的生效 :
20160127
📄 公开

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