发明专利已授权

脉冲混插式制备铝镓酸铋薄膜的方法

📄 申请号：CN201510766708.2 📄 发布日：2026/04/10

著录项目信息

申请日

2015-11-11

公开号

CN105274492B

公开日

2017-09-22

申请人

南通大学技术转移中心有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_40

IPC 分类号

C23C16_40 , C23C16_52 ,

技术画像

所属领域

薄膜制备薄膜制备功能材料光电材料

应用场景

电子器件, 光学薄膜, 传感器, 集成电路, 新能源器件

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摘要

一种制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料生长在衬底材料上，采用铝镓有机源脉冲混插式的自限制性表面吸附反应得到，所述表面吸附反应特指朗缪尔吸附机制的不可逆的化学吸附反应。通过采用本发明的制备Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜材料的方法，可以实现Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜生长厚度的精确可控，且Bi(AlxGa1‑x)O3薄膜表面平整度大大优于现有技术。由于Bi(AlxGa1‑x)O3为无铅材料，使其成为Pb(Zr1‑xTix)O3的潜在替换者。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230912

?? 专利权的转移：

20230131

⏳ 专利实施许可合同备案的生效：

20220607

?? 专利权的转移：

20170922

✅ 授权

20160224

?? 实质审查的生效：

20160127

📄 公开

前驱体时间分隔式制备镓酸铋薄膜的方法

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