实用新型已授权

一种碳化硅晶体生长炉下盖总成

Name: 一种碳化硅晶体生长炉下盖总成
Brand: 南京宏泰晶智能装备科技有限公司
SKU: 2023205940501
Availability: InStock

📄 申请号：CN202320594050.1 📄 发布日：2026/06/10

著录项目信息

申请日

2023-03-23

公开号

CN220183434U

公开日

2023-12-15

申请人

南京宏泰晶智能装备科技有限公司

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

C30B29_36

IPC 分类号

C30B29_36 , C30B23_00 ,

技术画像

所属领域

碳化硅晶体生长碳化硅晶体生长晶体生长炉半导体制造设备

应用场景

碳化硅衬底制备, 半导体材料生长, 功率半导体器件制造, 集成电路制造

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摘要

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括炉体下盖，炉体下盖的底部固定连接有盖板，炉体下盖的一侧设有抽气口，盖板的轴心位置贯穿设有转轴，转轴通过轴套固定连接在盖板上；盖板的下方固定设有用于转轴旋转的驱动机构；转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘，托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管。本实用新型可使放置在炉体内部的石墨坩埚进行旋转，使碳化硅晶体生长的原料受热更加均匀，确保了原料区域气化的量保持一致，另外可使气化上升的原料以旋转的方式落入到籽晶区域，连续不断的这种旋转升华堆叠，可有效提高结晶的一致性，从而提高碳化硅晶体的结晶品质。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN220183434U

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权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置

当前第 / 件

一种碳化硅晶体生长炉加热模块升降机构

同领域国内专利 · IPC: (C30B29_36)

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