本实用新型公开了一种单晶硅炉腔体的底部加热装置及压力容器，该底部加热装置包括石墨加热器及电极，石墨加热器包括加热器本体及电极脚，加热器本体包括二个主体部、第一加热部、第二加热部及第三加热部，第二加热部位于第一加热部、第三加热部之间，且第二加热部的加热总面积大于第一加热部的加热总面积，第三加热部的加热总面积小于或等于第三加热部的加热总面积。上述底部加热装置通过在原石墨加热器结构的基础上，将其分成第一加热部、第二加热部及第三加热部，根据坩埚加热区域的区别，以第二加热部的加热总面积为最大，以节约其他部位的加热用能，降低能耗。
📄 2023235923168
📂 C30B29_06
👤 迪森(常州)能源装备有限公司
📅 2023-12-28
本发明公开了一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法，包括步骤：S1：在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔；S2：采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板，钼板电极分别与直流电源连接；S3：将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内，保证管内真空环境，向管内通入一定流量的纯氩气；S4：将钼板放置在水平管式炉的上下两侧；S5：调节直流电压控制电场强度，并进行热处理。本发明在温度场的基础上，拟通过引入电场，通过调节电场强度、方向、作用时间等参数，利用热‑电耦合抵消内部机械应力，来保障硅基内部结构的稳定成形。
📄 2020105432967
📂 C30B29_06
👤 深圳万知达技术转移中心有限公司
📅 2020-06-15
本实用新型属于石墨加热器技术领域，尤其为一种用于直接单晶炉的升降式石墨加热器，包括液压伸缩杆以及固定连接在所述液压伸缩杆伸缩端的连接杆，还包括安装在所述连接杆上的加热组件；所述加热组件包括设置在两个所述连接杆之间的两组上下对称排列的连接环，该连接环是由八个等角分布的连接块组成的，位于上方的所述连接块和位于下方的所述连接块之间设置有三个等角分布的石墨加热管，在此装置上设置了加热组件，用户通过此加热组件，可以通过可拆卸式结构设计，将损坏的位置单独更换并维修，从而大大降低使用成本，起到降本增效的效果，并且在此机构上加入了防滑组件，可以增加对压环连接的稳定性。
📄 2023210732693
📂 C30B29_06
👤 上海晶驰炭素有限公司
📅 2023-05-08
已申报项目
本实用新型涉及半导体晶棒技术领域，且公开了一种新型半导体晶棒排列成型模具，包括主箱，所述主箱的顶部固定连接有导杆，所述导杆的顶部固定连接有电磁盘。该新型半导体晶棒排列成型模具，通过设置主箱右侧转动连接的门板，从而通过门板的活动使主箱内部空间便于密封，通过设置主箱内腔底壁固定连接的支撑块，支撑块为方形板状，且支撑块的侧边开设有直径与连接块直径相等的稳定孔，且主箱与支撑块的连接方式为焊接，从而便于固定连接侧边的连接块，通过设置控制箱从而便于控制连接块的加热，又通过设置主箱内腔底壁固定连接的控制连接块，通过控制连接块的传输使加热块便于加热，方便了使用者的使用。
📄 202021761757X
📂 C30B29_06
👤 南通东博精密机械有限公司
📅 2020-08-21
本发明公开了一种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉，属于多晶硅铸锭技术领域，其技术方案要点是，包括配套设置的炉体和炉盖，炉体的内部通过拉锭机构支撑设置有石墨坩埚，石墨坩埚用于盛装多晶硅原料、高温熔化后的硅液以及借助定向凝固法凝固成型的多晶硅锭，多晶硅锭由分层凝固在一起的多晶硅层和杂质层构成，炉体的内部还设置有发热机构，炉盖上从外界通入有进气管，进气管对准石墨坩埚的开口，炉盖为可升降结构，其借助升降机构来进行升降活动，且其内侧设有取锭机构。该种便于去除杂质层的多晶硅铸锭炉同时兼具多种功能，完善了传统多晶硅铸锭炉的夹取、定位功能，使用起来更加便捷，并且使用期间也无需再进行额外的设备投入。
📄 2020111382236
📂 C30B29_06
👤 新余学院
📅 2020-10-22
本实用新型涉及单晶炉硅芯技术领域，且公开了一种单晶炉硅芯退火装置。该单晶炉硅芯退火装置，包括主体与放置架，所述主体内轴接加热炉，所述加热炉内滑动连接退火架，所述退火架一侧固定连接放置架，所述主体内固定连接第一电机，所述第一电机中部设置有螺纹杆，所述螺纹杆外螺纹连接螺纹套，所述螺纹套轴接所述加热炉，所述螺纹套一端轴接所述退火架，第一电机驱动螺纹杆转动，进而推动螺纹套和退火架向外移动。这一设计避免了人工取出高温硅芯，降低了烫伤风险，提高了装置的安全性。放置架底部的加热器确保硅芯在退火过程中温度不会急速下降，从而减少硅芯的损坏，提高成品率。
📄 2024209942375
📂 C30B29_06
👤 江阴东升新能源股份有限公司
📅 2024-05-09
本实用新型属于冶炼铸造技术领域，尤其是一种高效铸锭除渣装置，针对了对多晶硅进行铸锭过程中对其表面的氧化渣去除不便以及效率低下的问题，现提出如下方案，其包括安装座，安装座还包括固定架，固定架固定于安装座的顶面，固定架的一侧固定有两个呈对称分布的固定杆，两个固定杆的一端固定有固定块，固定块的底面固定有分流板；本实用新型中铸锭表面的氧化渣通过分流板的分流作用，使得氧化渣聚集在转动板的表面，继而通过转动板的往复摆动，使得转动板对大部分的氧化渣进行摆动至除渣通道内进行收集处理，同时少部分的氧化渣通过捞渣板的往复摆动进行摆动捞渣处理，从而大大提高对铸锭表面氧化渣的去除效率，操作简便。
📄 2021217394631
📂 C30B29_06
👤 江阴东升新能源股份有限公司
📅 2021-07-29
已申报项目
本实用新型公开了一种降低杂质含量的铸锭装置，涉及铸锭技术领域，包括炉体，所述炉体内部设置有以炉体中心线为轴心沿炉体内壁移旋转的刮除组件，所述刮除组件包括有开设在炉体内部的环形球槽，所述环形球槽的内壁滑动连接有滑动球，所述滑动球的一端固定安装有连接块，所述连接块的侧面固定安装有刮除板，所述炉体的上端设置有驱动所述刮除组件旋转的驱动组件。本实用新型的有益效果是：刮动板可以沿着炉体内壁进行位移，可以对内壁上附着的材料物进行刮除，提高远离的利用率且减少残留物对下次铸造产生影响；通过设置的定位板可以对传动轴进行限位，保证传动轴在传动过程中的稳定性，提高传动轴使用寿命。
📄 2020225711817
📂 C30B29_06
👤 江阴东升新能源股份有限公司
📅 2020-11-09
已申报项目
本发明提供的一种用于单晶炉的水冷热屏装置，包括进水管、出水管及水冷套，所述水冷套内设有水冷流道，所述进水管及出水管与所述水冷流道连通，该水冷热屏装置设置于所述单晶炉内液面上方，所述水冷套朝向所述液面一端连接有传热部件，所述传热部件与所述水冷套之间形成有具有临界温度的导热路径，所述临界温度小于所述水冷套朝向所述液面一端的材质熔点，当所述导热路径达至临界温度时，所述导热路径呈断开状态；通过应用有传热部件，使本发明的水冷热屏装置相比传统水冷热屏的应用，能使单晶生长速度进一步提高；同时能避免发生硅液熔穿水冷套导致单晶炉内的反应爆炸事故。
📄 201811472042X
📂 C30B29_06
👤 佛山圣哥拉太阳能科技有限公司
📅 2018-12-04
本实用新型公开了一种直拉单晶用自定位吸料组件，其包括：外筒体、内筒体、吸料管、自定位滑块和滚筒，所述内筒体设置在外筒体中，所述吸料管设置在内筒体中并向下延伸至外筒体的下方，所述滚筒环形阵列设置在外筒体的内腔底部，进行内筒体的滚动支撑，所述外筒体内壁上设置有环槽，所述自定位滑块间隔设置在环槽中，所述自定位滑块朝向内筒体的一侧设置有与内筒体对应的圆弧面，所述环槽中朝向内筒体的一侧设置有内圆锥面，所述自定位滑块朝向外筒体的一侧设置有一段与内圆锥面对应的外圆锥面。本实用新型所述的直拉单晶用自定位吸料组件，进行内筒体在外筒体中的自定位，减少对内筒体底部的摩擦及膨胀限制，降低内筒体碎裂的风险。
📄 2024227561969
📂 C30B29_06
👤 江苏福旭科技制造有限公司
📅 2024-11-13
本发明公开了一种提纯硅的装置。所述装置首先将粗硅与可与硅形成过共晶或者过包晶的高纯金属熔化在内设温度定向控制管的坩埚中，利用温度定向控制管产生高的侧向和纵向温度梯度，结合行波磁场控制初生单质硅在过共晶合金系中的结晶过程，提高初生单质硅的生长界面稳定性，抑制助熔金属夹杂物的形成。首先制备的棒材为初生单质硅在中心，助熔金属在外侧的结构。然后，在顶部高温区实现硅的过饱和溶解，再借助行波磁场发生器的往复运动，实现中心初生单质硅棒的粗化长大。生长完毕且冷却后，切掉头部金属吸杂区域。获得的初生硅再次重复上述过程，实现高纯硅的制备。因此，本申请所述装置可以避免引用大量的金属夹杂物，且工艺简单，制备的硅纯度高。
📄 2019109947635
📂 C30B29_06
👤 衡水学院
📅 2019-10-18
本发明涉及单晶硅片制备领域，公开了一种具有双峰金字塔绒面结构的单晶硅片，所述单晶硅片制绒后的绒面上随机分布有两种尺寸范围的金字塔结构：3‑6微米的大金字塔，0.5‑2微米的小金字塔；其中所述大金字塔的面积占比为75‑95%，所述小金字塔的面积占比为5‑25%。本发明的单晶硅片制绒后的绒面上的金字塔具有双峰结构，即具有两种特定尺寸类型的大小金字塔随机掺杂分布，且其各自分布相对均匀，金字塔形貌维持效果较佳。经测试，与单一尺寸的金字塔绒面相比，具有更低的反射率。
📄 2018100570215
📂 C30B29_06
👤 四川天成博远企业管理有限公司
📅 2018-01-19
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