专利交易市场

本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中源-衬距逐渐减小影响所制备晶锭厚度的问题。

本发明涉及石墨烯制备领域，尤其涉及一种在室温下快速制备大尺寸高品质单层石墨烯的方法。包括以下步骤：（S.1）基底准备：将磨砂玻璃经过清洗后烘干，并在表面均匀旋涂一层液相基底；（S.2）沉积生长：将涂有液相基底的磨砂玻璃固定于碳靶上方的样品台上，室温下抽真空后使用脉冲激光轰击碳靶，将碳原子沉积于液相基底上，沉积结束后继续在真空腔中放置一定时间，得到表面含有单层石墨烯的样品；（S.3）转移：将样品表面的单层石墨烯转移至洁净的目标衬底表面。本发明克服了现有单层石墨烯制备技术中制备温度较高且耗时长等缺陷，具有制备温度低、耗时短、无需催化剂以及易转移等优点，在室温下即可制备大尺寸高品质单层石墨烯。

本发明提供一种碳化硅连续长晶装置及长晶工艺，包括生长室、容纳装置、翻转长晶装置等装置，翻转长晶装置包括承载板以及籽晶连接工件，在碳化硅气相生长的过程中，控制翻转长晶装置间断转动，碳化硅晶棒能够在两个籽晶连接工件两侧交替连续长出，在生长的过程提拉承载板朝着第二导料开口方向移动，能够将第一个碳化硅晶棒从第二导料开口处提拉进行取料，第二个碳化硅晶棒在底端的籽晶连接工件表面连续生成，完成碳化硅晶棒的交替连续生长，提高了碳化硅晶棒生长的效率。该发明能够实现碳化硅晶棒的连续生长，极大地提高了碳化硅晶棒的生长效率。

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括供气转轴和轴套，供气转轴与炉下盖共轴设置，炉下盖的下方固定有用于供气转轴转动的驱动装置，供气转轴的顶端贯穿炉下盖的底部，延伸至石墨坩埚内，供气转轴的轴心线上设有两端封闭的供气通道，供气转轴位于轴套内的轴截面上设有多个第一通孔，轴套对应第一通孔的位置设有贯穿的第二通孔，第二通孔上连接有供气嘴，供气转轴的顶部沿周向设有多个供气孔，供气孔斜向延伸与供气通道相连通。本实用新型可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。

本实用新型提供一种N型碳化硅单晶生长用坩埚，包括：导电头、盖体以及下螺纹槽，所述导电头下端设有感应加热座，所述感应加热座内侧设有保温内层，所述保温内层内侧设有石墨体，所述石墨体内侧下端设有下螺纹槽，所述石墨体内侧上端设有上螺纹槽，所述下螺纹槽内侧设有下螺纹座，所述下螺纹座内侧设有放置腔，与现有技术相比，本实用新型具有如下的有益效果：通过使用感应加热座，能够对石墨体进行感应加热，通过使用限位挡座与底座，能够对感应加热座保持夹持，从而使石墨体能够完全均匀受热，通过使用上螺纹座以及下螺纹座，能够与石墨体进行快速连接或分离。