专利交易市场

本发明公开了一种增加一次投料晶锭厚度的碳化硅晶体生长方法，具体步骤包括：选定所使用的坩埚，根据实验结果和温场模拟确定该坩埚内腔填粉区域的高温区域；分别确定两种不同粒径的碳化硅粉的数量，并将其区分为大粒径碳化硅粉源和小粒径碳化硅粉源；在坩埚内腔填装碳化硅粉源，将小粒径碳化硅粉源装入高温区域中，将大粒径碳化硅粉源置于非高温区域，并在碳化硅粉源中设置石墨柱；将坩埚装入晶体生长设备中进行粉源烧结和除杂；从坩埚中取出石墨柱；进行晶体生长操作。本发明解决了现有技术中源-衬距逐渐减小影响所制备晶锭厚度的问题。

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉加热模块升降机构，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括轨道架，轨道架固定在操作台上，轨道架设置在炉体的一侧，并高于炉体，轨道架内设有适配的移动架，轨道架上设有用于驱动移动架升降的直线驱动机构；移动架的朝向炉体的一侧固定连接有支架立板，支架立板的两端固定设有半圆结构的上叉臂和下叉臂，上叉臂和下叉臂之间固定有加热高频线圈，加热高频线圈套设在炉体的外侧，炉体的外部固定有贯穿在上叉臂和下叉臂的支撑杆，支撑杆的下部与下叉臂之间设有销轴。本实用新型可调节炉内轴向温度梯度，另外，该升降机构可将炉体进行提升，使坩埚外露，方便坩埚的取放，可提高工作效率。

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉下盖总成，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括炉体下盖，炉体下盖的底部固定连接有盖板，炉体下盖的一侧设有抽气口，盖板的轴心位置贯穿设有转轴，转轴通过轴套固定连接在盖板上；盖板的下方固定设有用于转轴旋转的驱动机构；转轴位于炉体下盖内的一端上固定设有托盘，托盘上固定设有用于放置石墨坩埚的石英管。本实用新型可使放置在炉体内部的石墨坩埚进行旋转，使碳化硅晶体生长的原料受热更加均匀，确保了原料区域气化的量保持一致，另外可使气化上升的原料以旋转的方式落入到籽晶区域，连续不断的这种旋转升华堆叠，可有效提高结晶的一致性，从而提高碳化硅晶体的结晶品质。

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长炉保护气体供气装置，涉及碳化硅晶体生长炉技术领域，包括供气转轴和轴套，供气转轴与炉下盖共轴设置，炉下盖的下方固定有用于供气转轴转动的驱动装置，供气转轴的顶端贯穿炉下盖的底部，延伸至石墨坩埚内，供气转轴的轴心线上设有两端封闭的供气通道，供气转轴位于轴套内的轴截面上设有多个第一通孔，轴套对应第一通孔的位置设有贯穿的第二通孔，第二通孔上连接有供气嘴，供气转轴的顶部沿周向设有多个供气孔，供气孔斜向延伸与供气通道相连通。本实用新型可将气化后的碳化硅气态分子均匀的送入至籽晶面上，确保了坩埚内气流的稳定性，有利提高碳化硅晶锭生长的品质。

本实用新型公开了一种自动供气式碳化硅晶体生长炉，涉及晶体生长炉技术领域，包括支撑架、生长炉，生长炉内设有生长器主体，生长器主体与生长炉内壁构成内腔，生长炉两侧设有通气管，一侧的通气管内设有单向阀，另一侧的通气管贯穿调节室，调节室与生长炉相连，调节室设有旋转盘，旋转盘设有通气孔与封闭垫，生长炉设有固定架，固定架上设有电机，电机的旋转轴设有旋转涡轮，旋转盘的侧边处设有齿纹，旋转涡轮与旋转盘之间齿纹相连，固定架一侧设有检测仪，检测仪的检测柱延伸至内腔内。本实用新型在生长器内对碳化硅进行晶体生长时，其上的通气管根据内部的具体情况进行供气，且设有不同的供气速度，实用性强，适合推广。

本发明公开了一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，涉及碳化硅生产技术领域，具体为壳体和净化装置，所述壳体左端设置有加热端头，且加热端头内壁安置有加热丝，所述加热端头左端连接有进气端头，且进气端头左端连接有第一单向阀，所述壳体内部安置有冷凝管，该应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，设置的干燥箱内部存在的干燥球采用中性颗粒干燥剂，中性颗粒干燥剂一般可以干燥各种气体，可有效对反应气体进行进一步干燥处理，可通过拧松箱盖抓握把手将干燥箱从壳体内部进行拆卸，并通过滑开干燥箱底端下表面的封板对其内部的干燥球进行更换，从而保证干燥箱后续的干燥效果，干燥后的反应气体可有效保证碳化硅的生成效果。