本发明公开了一类红外非线性光学晶体Ba10Zn7M6Q26及其制备方法与用途。该类非线性光学晶体的分子式为Ba10Zn7M6Q26，其中，M选自In或Ga，Q选自S或Se。该类晶体属于四方晶系，空间群为I‑42m。以分子式为Ba10Zn7In6S26的晶体化合物为例，在2.05微米的激光下，该化合物是I型非相位匹配非线性光学材料，并且在30～46μm颗粒度范围，其粉末倍频响应是商用AgGaS2的4.1倍。在1.06微米的激光下，并且在150～210μm颗粒度范围，其激光损伤阈值是AgGaS2的37.2倍。该类化合物在军事和民用上有着重要的应用前景，可用于光电对抗、资源探测、空间反导和通讯等方面。
📄 2017110916569
📂 C30B29_46
👤 青岛科技大学
📅 2017-11-08
本发明提供一种掺锡二维硫化钼及其制备方法、应用，该制备方法简单易行、可控，按本发明提供的技术方案解决了一种锡掺杂二维硫化钼材料的制备问题，包括安全廉价的制备设备及反应原料获得，简易可行的全程无污染的工艺流程，所获得的材料厚度小于10nm，并且保留了母相的晶体结构，无第二相或合金化，掺杂后二维硫化钼材料光电性能的显著提升，为纳米电子器件和光电功能器件的潜在应用提供了材料基础，符合未来工业化生产需要。
📄 2021103652810
📂 C30B29_46
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-04-02
本发明公开了一种不同覆盖率的双层硫化钼晶体材料的制备方法，以Si/SiO2为衬底，钼箔为钼源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定为硫源温区和沉积温区，硫源和钼源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钼源‑衬底的石英舟位于沉积温区，钼箔展开置于石英舟内，衬底倾斜倒扣在钼箔正上方；向石英管中通入惰性气体，使两温区同时升至目标温度值；硫蒸气被惰性气体输送至与钼箔反应，得到覆盖率不同覆盖率的双层MoS2晶体材料。本发明利用改进的化学气相沉积法，在衬底与金属源之间的倾斜且狭小限域空间构建材料源的梯度浓度分布，从而实现不同覆盖率的双层MoS2晶体材料的制备。
📄 2021112260866
📂 C30B29_46
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-10-21
本发明公开了一维双层二硫化钨水平纳米带的制备方法，以Si/SiO2为衬底，三氧化钨粉末为钨源，硫粉为硫源；双温区水平管式炉按照气流方向设定硫源温区和沉积温区，硫源和钨源‑衬底置于同一石英管中，装有硫粉的石英舟位于硫源温区，装有钨源‑衬底的石英舟位于沉积温区，三氧化钨粉末平铺在石英舟内，衬底倒扣并位于三氧化钨粉末正上方；先对石英管抽真空，再向石英管中通入惰性气体，对硫源温区和沉积温区升温，硫蒸气被惰性气体输送到沉积温区与三氧化钨反应，在衬底上得到一维双层二硫化钨水平纳米带。通过限域化学气相沉积法实现一维双层二硫化钨水平纳米带的制备，工艺简单，成本低，无催化剂且对环境友好。
📄 202111226096X
📂 C30B29_46
👤 杭州电子科技大学
📅 2021-10-21
本发明涉及一步法制备MoS2/WS2水平异质结多晶薄膜的方法，属于无机纳米半导体材料领域，将装有硫粉的刚玉舟放于多温区管式炉上游低温区；将氧化钨与氯化钠混合粉、铬粉、氧化钼粉依次分开放于管式炉下游高温区的长刚玉舟上游；通入惰性保护气体，将多温区管式炉各个温区升温至目标温度使前驱体蒸发，在载气的带动下在多温区管式炉下游位置反应并沉积于放置在长刚玉舟下游的基底上，形成小晶粒多晶MoS2/WS2水平异质结薄膜。本发明仅需一步便能够在两个小时左右的时间内制备得到晶粒尺寸微小、结晶度好、多晶样品尺寸大的单层MoS2/WS2水平异质结连续多晶薄膜，反应所用的原料来源广泛、成本低廉，且操作安全、简单。
📄 2022104952060
📂 C30B29_46
👤 燕山大学
📅 2022-05-07
本发明涉及一种生长Fe掺杂单层WS2二维晶体的方法，属于无机半导体纳米材料制备的技术领域，其包括以下步骤：以Fe2O3、NaCl、WO3、S为原料，在多温区管式炉里面以Si/SiO2为基底，通过S单质对WO3及Fe2O3同时硫化，共同参与成键，使Fe取代部分WS2单层二维晶体中W的位置，通过化学气相沉积的方式制备得到Fe掺杂单层WS2二维晶体。本发明所述的方法步骤简单、操作方便，合成速度快且成本低，制备得到的Fe掺杂单层WS2二维晶体结晶性好，化学及热力学性能稳定。
📄 2020100962539
📂 C30B29_46
👤 燕山大学
📅 2020-02-17
本发明公开了一种自支撑二维硒氧化物晶体阵列的制备方法，属于半导体材料技术领域。其包括以下步骤：采用硒化铋粉末作为硒化材料置于管式炉上游低温区，利用低温蒸发将其气化，通过载气氩气把硒化铋带到中心高温区与氧化铋进行气相化学反应并沉积到下游低温区氯化钠单晶衬底，形成外延取向一致的二维硒氧化铋晶体阵列。随后通过在材料表面旋涂有机聚合物并加热，待其固化后在去离子水中将氯化钠单晶衬底溶解，获得粘有自支撑二维硒氧化铋阵列的有机聚合物膜并可以转移到其他衬底上去。本发明方法解决了二维硒氧化物纳米片阵列的制备问题和之后的转移问题，有望将这种新兴材料应用于柔性器件，发展到可穿戴设备上，具有广阔的应用前景。
📄 2021114930792
📂 C30B29_46
👤 电子科技大学长三角研究院(湖州)
📅 2021-12-08
本发明公开了一种利用烧结烟气脱硫灰一步法合成硫酸钙晶须的方法，属于资源回收再利用技术领域。本发明将预处理的脱硫灰和MgCl2溶液充分搅拌均匀后制成浆液，在浆液中滴加饱和Ca(OH)2，调节浆液的pH值的范围至8～9之间，再将浆液转移至高压反应釜中进行水热合成得到硫酸钙晶须。本发明以烧结烟气脱硫灰为原料，采用水热体系氧化协同制备硫酸钙晶须，实现烧结烟气脱硫灰氧化协同制备硫酸钙晶须，解决了CaSO3难以快速氧化和硫酸钙晶须制备工艺流程较长的难题，提高了脱硫灰的回收利用率，改善了硫酸钙晶须的质量。
📄 2018110090074
📂 C30B29_46
👤 安徽工业大学
📅 2018-08-31
本发明提出了一种利用天然石膏制备α型半水石膏晶种的方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将天然石膏、盐溶液和转晶剂混合，得到调和料浆；S2、将所述调和料浆调节溶液pH值为7～9，升温进行转晶处理，得到α型半水石膏浆体；S3、将所述α型半水石膏浆体趁热过滤，经干燥、粉碎，得到α型半水石膏晶种。本发明以细碎晶粒状的天然石膏为原料，在新型转晶剂的作用下，采用常压盐溶液法自制晶型结构完整、均匀的α型半水石膏晶种，同时可提高α型半水石膏的抗折强度、抗压强度等性能。
📄 2023112548891
📂 C30B29_46
👤 武汉工程大学
📅 2023-09-26
本发明涉及超分子化学领域,具体涉及一种三维无机超分子化合物。一种三维无机超分子化合物，其化学式为K2[Zn(H2O)6](SO4)2,所述三维无机超分子化合物属于单斜晶系，P21/c空间群，晶胞参数为a＝6.1464(3)Å，b＝12.1666(5)Å，c＝9.0080(4)Å，α＝90.00°，β＝104.671(5)°，γ＝90.00°，V＝651.66(5)Å3。本发明所述三维无机超分子化合物的制备方法，操作简单、方便，重现性好。
📄 2021105028465
📂 C30B29_46
👤 南京科技职业学院
📅 2021-05-10
本发明公开了一种利用烧结烟气脱硫副产物制备硫酸钙晶须的方法，属于脱硫副产物资源应用技术领域。本发明具体步骤如下：步骤一、去除杂质，将脱硫副产物去杂后加入硫酸进行酸洗，水洗后得到中性的脱硫副产物溶液；步骤二、低温氧化，将脱硫副产物溶液加入氧化装置，向脱硫副产物溶液中吹入富氧空气进行吹气氧化；步骤三、调配浆料，向脱硫副产物粉料中加入水制得浆料；步骤四、水热反应，将上述得到的浆料加入反应釜中，在120‑150℃反应；步骤五、水洗干燥，对反应产物水洗、抽滤得到滤饼；干燥完成得到CaSO4晶须。本方法制备的硫酸钙晶体表明光洁度较高，提高了硫酸钙晶须的制备质量，实现了脱硫副产物的高附加值应用。
📄 2016110682877
📂 C30B29_46
👤 安徽工业大学
📅 2016-11-29
本发明公开了一种二维二硫化钨薄膜的制备方法，该方法采用硫代硫酸钠固体粉末和二硫化钨固体粉末作为前驱物，通过化学气相沉积法合成了WS2二维单分子/多分子层厚度的单晶材料，其中二硫化钨单晶形貌为三角形、六边形或枝形。本发明将硫代硫酸钠应用到CVD法中来制备WS2晶体材料，降低了化学气相沉积法生长二硫化钨二维薄膜的生长温度，薄膜制备重复性好、晶体结晶质量高。制备的WS2单晶为三角形，六边形和枝晶状，薄膜厚度为1～30个分子层厚度。
📄 2019104627927
📂 C30B29_46
👤 徐州新南湖科技有限公司
📅 2019-05-30
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