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本发明提供一种低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，采用连续生长的方法，连续多周期分阶段在低温溶液中快速生长ABX3钙钛矿单晶，所用溶液浓度大，生长所需原料溶解均匀，增加生长周期和对生长条件的精细控制，很容易得到尺寸大、形状规则、质量高的ABX3钙钛矿单晶，方法工艺简单、可操作性强；生长条件温和，所需温度低，节能；设备要求低、成本低；成功率高、生长单晶速度快；缺陷少、稳定性好，所得单晶尺寸大(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)等优点。从而促进对钙钛矿材料及相关光电器件(包括太阳电池、光探测器、LED及激光器等)的基础机理理论研究。

本发明提供了一种在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄ABX3钙钛矿单晶薄片的方法，通过不断向流动液相微反应体系中加入新鲜的单晶生长液，能够连续生长出不同形状、厚度的钙钛矿单晶薄片。本发明生长出的钙钛矿单晶薄片显示了更好的热稳定性、湿度稳定性、更宽的光吸收范围、极低的缺陷、较低的空穴浓度以及较高的载流子迁移率。可以预期采用单晶薄片制作的钙钛矿太阳能电池可以获得更好的光电转换效率；同时由于晶体的完整性和较少的缺陷，单晶器件也具有更佳的稳定性。由于单晶材料是现代半导体工业、电子工业和光电工业的基础，具有优良性能的钙钛矿单晶材料有可能实现对多晶钙钛矿基器件的革新，推动光电器件的新一轮革命。

本发明一种液‑液两相法生长钙钛矿单晶的方法，操作简单、对周围环境要求低、无毒不污染环境，所得单晶结晶度好、稳定性高。所述的方法为，取提供锡源的溶液，滴加在与其不互溶且含有卤代物的溶液中，在形成的分离界面处反应，生长出钙钛矿单晶。本发明采用液‑液两相法反应的方式，滴加互不相溶的两种液相形成分层，两相直接在界面分层处快速反应生长出MASnI3钙钛矿单晶，加上其所限定的温度调节，即可生长出环境友好型、形状规则、结晶度高、稳定性好、含铅的单晶。具有操作简单、反应迅速，对条件要求低、成本低、成功率高、无毒无污染的特点；为钙钛矿材料的发展提供一种新思路、新方法。

本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（α‑HgI2）和氢碘酸（HI）为基本原料，调整加入到体系HI的浓度，控制[HgI3]和[HgI4]2‑的生成速率；通过施加横向静电场，使[HgI3]和[HgI4]2‑在溶液中定向移动，碰撞形核并结晶从而形成择优生长的碘化汞薄膜籽晶层。生成的碘化汞薄膜籽晶层在基片（电极）材料上沉积一层同质薄膜，为气相外延生长提供定向晶核，从而增大薄膜单向生长几率。