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一种有机-无机杂化的含铜多钼氧酸盐晶体材料及其制备方法，属于有机-无机杂化材料、多金属氧酸盐材料领域。其化学式为(C4H6N2)8Cu4[Mo8O26]；三斜晶系，空间群为P-1，晶胞参数为α＝73.297(8)o，β＝70.196(8)o，γ＝76.896(8)o。该多钼氧酸盐晶体材料采用水热合成法制备，将钼酸铵、1-甲基咪唑、硫酸铜和水置于密闭体系中合成制得。该多钼氧酸盐晶体材料在双氧水氧化环戊烯制备戊二醛时可起到催化作用，可以使产物产率达到62％，表现出了较好的催化活性。

本发明公开了一种稀土掺杂辐射探测器用双卤素杂化钙钛矿晶体材料，其化学式为CH3NH3(PbxTm1‑x)(BryI1‑y)3，其中，x＝0.91，y＝0.451‑1，该材料性能稳定，具有较好的电阻率和较低的漏电流，电阻率可达4.79×108Ω·cm，漏电流可达56nA；本发明还提供了该晶体材料的制备方法，配置含有溴元素和碘元素的前驱液并将其混合形成混合液，将稀土氧化物Tm2O3混合至该混合液中，过滤后将其置于加热水箱中加热使晶体生长，干燥后即得到晶体材料，制备工艺简单，过程易于控制，在晶体生长过程中通过三段升温控制方法使得晶体生长过程稳定，生长的晶体质量较高，性能好，成本低。

本发明公开了一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法，其化学式为CH3NH3PbCl3，在晶体制备过程中引入高质量籽晶，通过籽晶并在制备中采用逆温差结晶法制备CH3NH3PbCl3单晶，该方法工艺简单，晶体生长温度较低，过程可控，晶体质量高，单晶尺寸可达厘米级，且单晶具有高度的择优取向，具有良好的光电性能、大的禁带宽度、好的耐辐照特性，可以更好满足辐射探测器的应用要求，在强辐射场环境使用更具有优势。

本发明公开了一种超长棒状聚3‑己基噻吩晶体的制备方法，包括以下步骤：(1)溶液配制：将P3HT溶解于氯苯溶剂中，配制P3HT的氯苯溶液，待P3HT完全溶解后进行过滤处理；(2)一次等温结晶：将过滤后的P3HT的氯苯溶液先进行保温，再进行降温，然后进行等温结晶处理，得到一次结晶液；(3)二次等温结晶：将一次结晶液先进行降温，然后进行等温结晶处理，得到二次结晶液；(4)薄膜制备：利用溶液旋涂法将二次结晶液在硅片衬底上制备出P3HT薄膜；(5)薄膜干燥：对P3HT薄膜进行真空干燥。本发明制备方法属于简易的P3HT液相分步等温结晶方法，条件温和、操作简便、无特殊设备要求，所得超长棒状聚3‑己基噻吩晶体可用于有机光电器件的应用。

本发明公开了一种双折射晶体及其制备方法，该双折射晶体的化学式为[C(NH2)3]Sb(C2O4)F2(H2O)或RbSb(C2O4)F2(H2O)，其中[C(NH2)3]Sb(C2O4)F2(H2O)可以通过低共熔溶剂、溶剂挥发或水热反应制备，RbSb(C2O4)F2(H2O)可以通过水热反应制备。本发明制备的双折射晶体在546nm处的双折射率为0.165～0.339，比著名的双折射材料a‑BaB2O4的双折射率更高，并且晶体无色透明，化学稳定性好，可以开拓紫外波段的线性光学应用范围。

本发明公开了具有光电流响应的锌配合物半导体晶体材料及其制备方法与用途。具体地，该晶体材料属于三斜晶系，空间群为P‑1，分子式为C82H54N4O10S4Zn，分子量为1449.02，晶胞参数α＝71.741(2)°，β＝78.251(2)°，γ＝79.792(2)°；所制备的材料具有明确的空间结构和准确的分子式，其作为光电流响应的半导体材料，在室温下该材料具有良好的氧化还原性能和光电流响应性能，具有广泛的应用前景。该技术具有操作简单、成本低、性能稳定、适合规模化生产等优点。

本发明提供了一种有机单晶微米带P‑N异质结阵列的生长方法。该方法包括：提供一基底，并对基底进行光刻以获得负性的光刻胶阵列；利用疏水型的单分子层溶液对光刻胶阵列进行修饰，以获得光刻胶模板；将光刻胶模板按照竖向放置的方式浸入N型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入N型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成N型单晶微米带；将光刻胶模板按竖向放置的方式浸入P型材料的溶液中，直至光刻胶模板完全浸入P型材料的溶液后取出光刻胶模板，以在光刻胶模板上形成P型单晶微米带，从而形成有机单晶微米带P‑N异质结阵列。制备的微米带P‑N异质结阵列均为单晶材料，且可以准确定位生长具有上下叠层结构的P‑N异质结。