专利交易市场

本发明涉及一种高长径比水合及无水硼酸钙纳米晶须的温和水热?热转化制备方法，属于化工新材料技术领域。本发明方法：=是将含钙化合物和含硼化合物与水混合，然后于40?70oC水浴条件热处理5?20min，然后将无机碱溶液滴加到钙硼混合液，继续于50?90℃水浴条件热处理10?50 min，得到前驱物浆液；将前驱物浆液置于水热反应釜内，升温至120?240oC，恒温反应2.0?18.0 h，即可获得水合硼酸钙纳米晶须湿品。本发明首次利用温和水热法合成制得高纯度、高结晶度、高长径比水合硼酸钙（Ca2B2O5?H2O）纳米晶须，之后经过中温焙烧热转化脱除结晶水实现物相转变，制得形貌保持良好的高纯度、高结晶度、高长径比无水硼酸钙（Ca2B2O5）纳米晶须，从而实现高长径比1D硼酸钙纳米晶须的可控合成。

一种十二磷钼酸H3PMo12O40·21H2O晶体材料的制备方法，属于含钼杂多酸晶体材料制备技术领域。将2.0～3.5g的钼酸铵、1.0～1.8g的硝酸铝、0.08～0.1mL磷酸、15～18g的蒸馏水于室温下搅拌混合得到反应底物后，转入到水热反应釜中进行水热反应，然后缓慢冷却至室温，固液分离即可得产物十二磷钼酸H3PMo12O40·21H2O晶体材料。合成方法简单易操作，反应收率较高。水热合成的时间为10～15h，水热合成的温度为190～200℃，有利于获得更高产率十二磷钼酸H3PMo12O40·21H2O晶体材料，产物形态为外形生长良好的多面体单晶体。

本发明公开了一种高长径比的α‑半水硫酸钙晶须及其制备方法和应用，该α‑半水硫酸钙晶须制备方法包括：在碱性环境下，将钛石膏在复合晶型助长剂的作用下进行水热反应；其中，复合晶型助长剂包括镁盐和十二烷基盐。通过采用上述复合晶型助长剂，利用Mg2+嵌入晶格取代(200)晶面上的Ca2+降低Ca2+在该晶面上的吸附，同时利用碱性环境下OH‑促进十二烷基盐选择性吸附，两者共同作用促进了α‑半水硫酸钙晶须沿c轴定向生长，提高了晶须长径比，较现有其他碱性环境下制备的α‑半水硫酸钙晶须，晶须产率更高，形貌更均匀。且在碱性环境中进行反应，无需除杂步骤，且不会产生工业废酸，绿色环保。该α‑半水硫酸钙晶须在建材、纸张、橡胶或塑料中作为增强组元或增韧组元具有很好的应用前景。

本发明公开了一种非线性光学晶体氟氧铌酸钾及其制备方法和应用，其非线性光学晶体化学式为K5Nb3OF18，属于四方晶系，空间群为I4cm，晶胞参数为 α＝β＝γ＝90°，z＝4，单胞体积为 该非线性光学晶体氟氧铌酸钾用于激光器激光输出的频率变换。使用粉末倍频测试方法测量了K5Nb3OF18的相位匹配能力，其粉末倍频效应为它的倍频系数是KH2PO4(KDP)的2.2倍。它的紫外吸收边为238nm。另外，K5Nb3OF18单晶无色透明，化学稳定性好。所以可以预见，K5Nb3OF18将在紫外领域中获得应用，并将开拓紫外波段的非线性光学应用。

本发明涉及半导体材料制备领域，具体涉及一种等离子增强化学气相沉积生长GaON外延薄膜的制备方法。本发明采用金属镓作为镓源，以氧气作为氧源，以氮气为氮源，以氩气作为运输气体，进而制备GaON外延膜。本发明使用等离子增强化学气相沉积系统(PECVD)通过优化后生长参数来制备GaON外延膜，该方法能够借助辉光放电等离子体使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，进而实现薄膜材料生长。由于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需要的激活能，因而显著降低反应温度和提高薄膜沉积的效率和质量，经本方法制备的GaON外延膜性能优异，符合未来工业化量产的需求。

本发明公开一种高纯NaAlB14晶体的制备方法，属于非金属材料领域，其特征在于：高温高压条件下，以碱金属Na块，金属Al粉和B粉为原料用元素法直接制备NaAlB14晶体。本申请制备NaAlB14晶体的方法与现有技术相比，工艺简单，制备的NaAlB14晶体纯度较高，NaAlB14晶体的熔点高，硬度高，可用作高温半导体材料，高温热电材料以及磨料。