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一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法及应用,它涉及一种在金属表面改性的方法及应用。本发明的目的是要解决现有碳纳米管与硅基底的结构强度低,金属基底上很难生长碳纳米管和在合金表面生长碳纳米管使用的载气危险,溶剂毒性大,不适合工业化推广的问题。方法:一、刻蚀处理;二、通入氮气,启动管式炉;三、注射二茂铁和环己烷的混合液,反应30min~120min;四、关闭管式炉,在氮气保护下自然冷却至室温,得到表面生长有碳纳米管阵列的金属基底。本发明制备的碳纳米管阵列与金属基底的剪切结合强度达到了0.95MPa。本发明可获得一种在金属上直接生长碳纳米管阵列的简易方法。
📄 2017106159937 📂 C30B29_60 👤 东北石油大学 📅 2017-07-25
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CRISPR基因编辑技术

转让方:××大学
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SiC功率器件工艺专利

转让方:××半导体有限公司
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钙钛矿光伏组件技术

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交易金额:¥50万/年