发明专利 已授权

银纳米柱-银纳米管复合结构阵列及其制备方法和用途

📄 申请号:CN202110472939.8 📄 发布日:2026/08/31

著录项目信息

申请日
2021-04-29
公开号
CN113278923B
公开日
2023-05-23
申请人
安徽大学
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号

技术画像

所属领域

应用场景

表面增强拉曼散射, 生物传感器, 化学传感器, 光电器件, 催化

摘要

本发明公开了一种银纳米柱‑银纳米管复合结构阵列及其制备方法和用途。银纳米柱‑银纳米管复合结构阵列由位于银纳米膜上的大量银纳米柱‑银纳米管复合结构单元组成,每个结构单元由银纳米柱、套设在银纳米柱外的银纳米管组成;该产品的制备方法为先在通孔氧化铝模板的一面磁控溅射银,在氧化铝模板孔道顶端形成银纳米管;再在氧化铝模板上原子层沉积氧化铝薄膜、溅射银膜,然后浸入电解液,在氧化铝模板孔道内电沉积银纳米柱,再置于碱溶液中溶解去除氧化铝模板和氧化铝薄膜即可制得。该产品可作为表面增强拉曼散射(SERS)的活性基底来测量其上附着的痕量有机物,能检测出浓度低至10‑13mol/L的罗丹明6G,SERS信号的均匀性和检测灵敏度高。

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权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图2
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