发明专利已授权

一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法

📄 申请号：CN202011026213.3 📄 发布日：2026/05/06

著录项目信息

申请日

2020-09-25

公开号

CN111945225B

公开日

2024-11-26

申请人

江南大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C30B29_22

IPC 分类号

C30B29_22 , C30B7_02 , G02F1_355 ,

技术画像

所属领域

晶体生长晶体生长材料制备工艺晶体材料

应用场景

半导体材料, 光学晶体, 激光晶体, 人工晶体, 晶体材料制备

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摘要

本发明涉及一种晶体高饱和度连续快速生长的控制方法，属于生产过程控制领域。晶体高饱和度连续快速生长系统包括检测装置、执行装置、控制装置和晶体生长装置。载晶架旋转停止时通过晶体尺寸视觉测量装置在线检测生长晶体的尺寸，按规则调节培养罐内生长溶液温度设定值、溶液配制罐内生长溶液温度设定值、生长溶液输送泵的转速设定值。由于溶液配制罐温度大于培养罐生长温度，从而使溶液中溶解的溶质浓度高于生长温度下的平衡溶质浓度，保证进入培养罐的溶液处于过饱和状态。本发明方法提高了大尺寸晶体的生长速度。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

分诊融合模型训练方法、分诊方法、装置、设备及介质

当前第 / 件

基于计算机视觉的手眼标定方法及装置、存储介质

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¥7000.0 元

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：61 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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