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本发明公开了一种硫酸二氟锑铯非线性光学晶体及其制备方法和应用，其采用室温溶液法制备硫酸二氟锑铯非线性光学晶体，该晶体的分子式为CsSbSO4F2，分子量为388.72，属于正交晶系，空间群为Pna21，晶胞参数为：a=9.9051(5)Å，b=11.6070(8)Å，c=5.2822(3)Å，V=607.29(6)Å3。该晶体的非线性光学效应约为0.65KDP，紫外截止边为233 nm，对可见光及近红外波段具有较高的透过率。本发明制备的CsSbSO4F2晶体透明无包裹体，具有生长速度较快、成本低、物理化学性能稳定、机械性能好、易于加工等优点。适用于制作倍频发生器、二次谐波发生器、上下频率转换器、光参量振荡器、激光致盲武器、激光致盲武器、激光光盘、激光投影电视、光计算和光纤通讯等非线性光学器件。

本发明提供了一种斐波那契序列电介质与石墨烯的复合结构，属于光电技术领域。本复合结构包括若干电介质层一、若干电介质层二和一个石墨烯层，复合结构由其一侧面至另一侧面的堆叠规律如下：电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、石墨烯层、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层一、电介质层二、电介质层二、电介质层一、电介质层二；电介质层一的材料为MgF2晶体，电介质层二的材料为ZnS晶体。本发明具有提高缺陷模的反射率等优点。

本发明本发明公开了一种具有三阶非线性光学性能的W/S/Cu簇‑金属晶体材料的制备方法及晶体材料。将三硫代钨酸铵和氰化亚铜加入到吡啶溶剂中搅拌制得橙色溶液；并在该溶液上层加入吡啶缓冲层，然后在缓冲层上方加入四水合硝酸钙的有机溶液；密封后经结晶、过滤、洗涤、干燥即得到晶体材料。本发明获得一种具有三阶非线性光学性能的W/S/Cu簇‑金属晶体材料{[Ca(Py)2(H2O)2][Ca(Py)2][WOS3Cu3(Py)3(CN)3]2·4Py}n。本发明合成简便、条件温和、易于控制，合成的原料价廉易得；得到的产物产率高，材料的化学、光学稳定性好，材料的三阶非线性光学性能好。

本发明涉及基于APT对称康托尔光子晶体中奇异点的移相器，包括由两个序号相同的康托尔光子晶体复合而成的中心对称结构，并通过调控各层电介质折射率实部和虚部，使整个中心对称结构满足APT对称性，继而利用APT对称系统的奇异点大小为π的相移效应，通过电介质损耗和入射角来控制电场的相位移动的频率；康托尔光子晶体由若干个电介质薄片A和若干个电介质薄片B按照康托尔序列的第N项即SN＝SN‑1(3B)N‑1SN‑1依次排列而成，其中S0＝A，N取正整数。本发明所述移相器可实现精确的半波相移，即其能够对信号波的相位进行精确的调整。