发明专利已授权

一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置

📄 申请号：CN202110120600.1 📄 发布日：2025/12/09

著录项目信息

申请日

2021-01-28

公开号

CN112872610A

公开日

2021-06-01

申请人

常州大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

B23K26_364

IPC 分类号

B23K26_364 , H01L21_336 , H01L29_423 ,

技术画像

所属领域

半导体器件制造半导体器件制造沟槽栅MOSFET 激光加工

应用场景

电力电子, 功率半导体器件, 集成电路制造, 电源管理, 新能源汽车

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摘要

一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置，属于半导体领域。本发明解决了在半导体衬底上形成外延层表面后，采用三组激光制备沟槽和方形坑的问题，采用‑x方向、‑y方向激光，其出射口位于凸透镜的焦点处，通过凸透镜后以平行光射向铅光阑照射到外延层表面，形成相互垂直系列等间距的沟槽，这些沟槽之间形成二维方阵凸起；采用‑z方向激光通过凸透镜和铅模板，对这些凸起照射形成二维阵列方形坑；对方形坑注入另一种导电型半导体，利用刻蚀方法对沟槽中沉积的多晶硅与在外延层侧面的氧化物，形成控制栅电极和屏蔽栅电极，最后在外延层表面形成金属源极，在半导体衬底表面形成金属漏极。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20221213

✅ 授权

20210618

?? 实质审查的生效：

20210601

📄 公开

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