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一种安培力作用下的可控深度激光减材制造方法，包括以下步骤：(1)对待减材工件进行预处理；(2)将两个电极分别设置在待开槽区域的两端，将磁铁的两个磁极分别设置在待开槽区域的两侧；(3)在两个电极之间通入直流电流；两个磁极在待开槽区域形成磁场，控制电流方向和磁场方向，以确保电场和磁场产生的安培力的方向与待减材工件的重力方向相反；(4)开启激光器，同时从待开槽区域沿x轴方向的两侧自上而下向开槽区域倾斜喷射保护气，熔融的金属在安培力作用下脱离熔池，且在保护气的冲击作用下沿x轴方向的两侧排出，凹槽形成；(5)停止激光器、电场和磁场的作用，清理溢出的金属。

📄 2017112459727 📂 B23K26_364 👤 浙江工业大学 📅 2017-12-01

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一种光伏电板背板开槽设备

实用新型已授权

本实用新型涉及激光开槽技术领域，且公开了一种光伏电板背板开槽设备，包括底座，底座左右两侧上端固定连接有竖轨，两个竖轨上端之间滑动连接有横轨，横轨上端滑动连接有滑块，滑块前端固定连接有激光头；还包括：固定机构，固定机构安装在底座上端，固定机构用于固定背板；烟尘清理机构，烟尘清理机构安装在固定机构上方。本实用新型通过在烟尘清理机构中设置吸尘风机，为尘屑和烟尘的清理提供了强劲的动力；吸尘风机能够快速、高效地将激光开槽过程中产生的尘屑和烟尘吸入处理箱中，避免了尘屑和烟尘在工作区域的扩散，显著改善了工作环境，保护了操作人员的健康。

📄 2025213781506 📂 B23K26_364 👤 安徽迈尔威新能源科技有限公司 📅 2025-07-02

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一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置

发明已授权

一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置，属于半导体领域。本发明解决了在半导体衬底上形成外延层表面后，采用三组激光制备沟槽和方形坑的问题，采用‑x方向、‑y方向激光，其出射口位于凸透镜的焦点处，通过凸透镜后以平行光射向铅光阑照射到外延层表面，形成相互垂直系列等间距的沟槽，这些沟槽之间形成二维方阵凸起；采用‑z方向激光通过凸透镜和铅模板，对这些凸起照射形成二维阵列方形坑；对方形坑注入另一种导电型半导体，利用刻蚀方法对沟槽中沉积的多晶硅与在外延层侧面的氧化物，形成控制栅电极和屏蔽栅电极，最后在外延层表面形成金属源极，在半导体衬底表面形成金属漏极。

📄 2021101206001 📂 B23K26_364 👤 常州大学 📅 2021-01-28

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成功交易案例

🔬

固态锂电池电解质专利包

转让方：中国科学院××研究所
受让方：××新能源科技有限公司
交易类型：独占许可
交易金额：¥320万

🧬

CRISPR基因编辑技术

转让方：××大学
受让方：××生物医药有限公司
交易类型：转让
交易金额：¥1,200万

⚡

SiC功率器件工艺专利

转让方：××半导体有限公司
受让方：××汽车电子集团
交易类型：转让
交易金额：¥680万

☀️

钙钛矿光伏组件技术

转让方：××科技公司
受让方：××能源集团
交易类型：开放许可
交易金额：¥50万/年

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一种安培力作用下的可控深度激光减材制造方法

一种光伏电板背板开槽设备

一种基于激光制作沟槽MOSFET的方法与装置

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