发明专利已授权

一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置

📄 申请号：CN202011098035.5 📄 发布日：2025/11/18

著录项目信息

申请日

2020-10-14

公开号

CN112323041B

公开日

2022-11-01

申请人

江苏鑫汉电子材料有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_44

IPC 分类号

C23C16_44 , C23C16_32 , B01D46_10 , B01D53_00 , B01D53_26 ,

技术画像

所属领域

碳化硅晶体生长碳化硅晶体生长气体提纯技术半导体材料制备

应用场景

碳化硅衬底制造, 功率半导体器件, 高温化学气相沉积, 半导体材料制备, 高纯气体供应系统

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摘要

本发明公开了一种应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，涉及碳化硅生产技术领域，具体为壳体和净化装置，所述壳体左端设置有加热端头，且加热端头内壁安置有加热丝，所述加热端头左端连接有进气端头，且进气端头左端连接有第一单向阀，所述壳体内部安置有冷凝管，该应用于HTCVD法生长碳化硅的气体提纯装置，设置的干燥箱内部存在的干燥球采用中性颗粒干燥剂，中性颗粒干燥剂一般可以干燥各种气体，可有效对反应气体进行进一步干燥处理，可通过拧松箱盖抓握把手将干燥箱从壳体内部进行拆卸，并通过滑开干燥箱底端下表面的封板对其内部的干燥球进行更换，从而保证干燥箱后续的干燥效果，干燥后的反应气体可有效保证碳化硅的生成效果。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种肉牛养殖场用饲料搅拌机

当前第 / 件

一种基于智能灯具室内定位方法

同领域国内专利 · IPC: (C23C16_44)

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议价

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