稀磁半导体 - 专利交易市场|柿子坊知识产权运营平台

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本发明涉及一种铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法，它以乙酰丙酮铁作为铁源，无水乙醇作为碳源，通过无水乙醇将乙酰丙酮铁引入微波等离子体化学气相沉积装置中，在基底上生长铁掺杂金刚石，实现将铁元素引入稀磁金刚石中。本发明首次以乙酰丙酮铁作为铁源，通过挥发的无水乙醇将其引入，采用微波等离子体化学气相沉积法制备稀磁金刚石半导体，并成功生长出在室温下具有铁磁效应的金刚石。并且发现，随着铁源用量的增加，金刚石的磁性强度呈现一种上升的现象。针对其的研究有利于最大程度地探究铁掺杂金刚石的稀磁半导体特性，同时也有利于探索金刚石磁性掺杂的更多可能性。

📄 2018107862248 📂 C23C16_27 👤 武汉工程大学 📅 2018-07-17

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稀磁半导体及其制备方法

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本发明提供了一种稀磁半导体的制备方法，制备方法包括如下步骤：制备复合氧化铟靶材；提供氧化铝基片，并对氧化铝基片进行清洗和抛光，得到第一氧化铝基片；将第一氧化铝基片放入真空室进行预溅射，得到第二氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第二氧化铝基片上沉积氧化铜薄膜，得到第一复合氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第一复合氧化铝基片上沉积氧化亚铜薄膜，得到第二复合氧化铝基片；利用脉冲激光沉积方法，在第二复合氧化铝基片上沉积铁钴钆掺杂的氧化铟薄膜。本发明通过氧化铟薄膜中掺杂铁、钴、钆原子，大幅度提高了稀磁半导体的磁性能，使得复合薄膜能够有效的用于存储器件。

📄 2017114939076 📂 H01L21_02 👤 深圳市隆昌润科技有限公司 📅 2017-12-31

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铁掺杂金刚石稀磁半导体及其制备方法

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