发明专利 已授权

一种利用微波等离子体化学气相沉积技术在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法

📄 申请号:CN202110756515.4 📄 发布日:2025/11/16

著录项目信息

申请日
2021-07-05
公开号
CN113584458B
公开日
2023-03-03
申请人
武汉普迪真空科技有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
IPC 分类号

技术画像

应用场景

光电晶体器件, 太赫兹技术, 光学窗口, 半导体散热, 晶体表面防护

摘要

本发明属于晶体合成技术领域,具体涉及一种利用微波等离子体化学气相沉积法在钽铌酸钾晶体上制备金刚石薄膜的方法,包括如下步骤:1)将钽铌酸钾晶体置于微波等离子体化学气相沉积装置的腔体中,将腔体抽真空后,通入氢气,调节氢气流量、气压和微波功率,产生等离子体包裹钽铌酸钾晶体以实现对其加热,并调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内;2)待压强和等离子体状态稳定后,对步骤1)所述腔体内通入甲烷,控制甲烷和氢气的通入流量比,再调节真空微调阀使腔内气压保持在11kPa‑12kPa范围之内;待通入甲烷6‑9h后关闭微波源,待腔体冷却,取出样品,得到在钽铌酸钾晶体上制备的金刚石薄膜。该方法有制备工艺简单,制备金刚石膜质量高,生长速度快等优点。
权利要求书 (12项) 说明书 附图

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图1
图2
图3

法律状态时间线

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