发明专利已授权

一种二硫化钼薄膜的制备方法

📄 申请号：CN201710600863.6 📄 发布日：2025/11/10

著录项目信息

申请日

2017-07-21

公开号

CN108588673A

公开日

2018-09-28

申请人

杭州电子科技大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

C23C16_30

IPC 分类号

C23C16_30

技术画像

所属领域

二硫化钼过渡金属硫化物薄膜纳米材料薄膜制备技术二硫化钼

应用场景

半导体器件, 光电探测, 催化材料, 储能器件, 固体润滑

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250829

?? 专利权的转移：

20210122

?? 专利权的转移：

20200908

?? 专利权的转移：

20191112

✅ 授权

20181026

?? 实质审查的生效：

20180928

📄 公开

一种自动吸附固定的插座

当前第 / 件

一种自流平震动装置

同领域国内专利 · IPC: (C23C16_30)

C23C16_00 C23C16_01 C23C16_02 C23C16_08 C23C16_18 C23C16_26 C23C16_27 C23C16_30 C23C16_34 C23C16_40 C23C16_44 C23C16_455 C23C16_458 C23C16_46 C23C16_48 C23C16_50 C23C16_505 C23C16_517 C23C16_54 C23C16_56 覆盖20个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：146 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)

一种二硫化钼薄膜的制备方法

著录项目信息

技术画像

所属领域

应用场景

摘要

法律状态时间线

同领域国内专利 · IPC: (C23C16_30)

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

一种水分散性二硫化钼的制备方法

一种黑磷/二硫化钼纳米花复合材料的制备方法及其食源性致病菌检测应用

一种木质素微波辅助解聚制备芳香烃类化合物的方法

服务项目

资源中心

关于柿子坊