一种二硫化钼薄膜的制备方法

著 录 项 目：

应用场景：微电子器件制造；光电器件封装；传感器敏感层沉积；润滑涂层开发

摘     要：本发明涉及一种二硫化钼薄膜材料的制备方法。目前二硫化钼薄膜可通过化学气相沉积法生长，这种方法制备的二硫化钼薄膜往往存在重复性差、结晶质量低的问题，从而影响了二硫化钼薄膜性能研究和应用。本方法采用在化学气相沉积法中引入矿化剂，促进了硫化钼薄膜的生长。以固态硫化钼粉末为源，水蒸气作为矿化剂，低压高温下在基底上获得二硫化钼薄膜。该方法制备二硫化钼薄膜具有薄膜厚度可控、晶形完整和制备重复性高的优点，对于化学气相沉积法制备二硫化钼以及二维过渡金属硫族化合物等二维材料的制备是有益的。

• 1． 买家选定所需专利，确认国家手续办理方，下单，确认交易合同；
  2． 卖家确认专利可交易；
  3． 买家支付交易款项到平台；
  4． 买卖双方签订《专利转让委托书》、《转让协议》、《解除代理委托书》各一式两份并提交给办理国家手续方；
  5． 办理国家手续方提交办理官方手续，国家知识产权局1个月左右下发《著录项目变更手续合格通知书》；
  6． 买家确认收到《专利证书》、《著录项目变更手续合格通知书》；
  7． 平台把交易款项支付给卖家，至此专利转让合同完成。
  

• 交易方	企业	个人
  买家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（签字）
  	专利转让委托书（需盖公章）一式两份	专利转让委托书（需签字）一式两份
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  卖家	营业执照副本复印件（需盖公章）	身份证复印件（需申请人签字）
  	解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请）	解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请）
  	专利转让协议（需盖公章）一式两份	专利转让协议（需签字）一式两份
  	专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件	专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件
  	专利证原件（若授权下证）	专利证原件（若授权下证）

• 日期	法律信息	备注
  2025/08/29	专利权的转移	登记生效日: 2025.08.12 专利权人由江苏中商碳素研究院有限公司变更为深圳市予衫科技有限公司 国家或地区由中国变更为中国 地址由221600 江苏省徐州市沛县经济开发区沛公路北侧、汉润路东侧（科技创业园）变更为518000 广东省深圳市福田区福田街道岗厦社区金田路3038号现代商务大厦2101B-G20
  2021/01/22	专利权的转移	登记生效日: 2021.01.11 专利权人由浙江启博知识产权运营有限公司变更为江苏中商碳素研究院有限公司 地址由310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道科技园路20号9幢504室变更为221600 江苏省徐州市沛县经济开发区沛公路北侧、汉润路东侧（科技创业园）
  2020/09/08	专利权的转移	登记生效日: 2020.08.20 专利权人由杭州电子科技大学变更为浙江启博知识产权运营有限公司 地址由310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更为310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道科技园路20号9幢504室
  2019/11/12	授权
  2018/10/26	实质审查的生效	IPC(主分类): C23C 16/30 专利申请号: 201710600863.6 申请日: 2017.07.21
  2018/09/28	公开

• 申请号	专利名称	发布日期
  2018110668120	【发明】透明石英玻璃板及其制作方法，化学气相沉积工艺	2025/09/08
  201810023526X	【发明】一种化学气相沉积工艺	2025/09/08
  2022107285872	【发明】一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜	2025/09/08
  2022109945171	【发明】一种用于FPGA芯片基板镀膜的预处理设备	2025/08/13
  2023209999186	【实用新型】一种MPCVD设备用防尘装置	2025/08/11
  2023208646350	【实用新型】一种MPCVD设备基片台	2025/08/11
  2023205888409	【实用新型】一种MPCVD设备用支撑装置	2025/08/11
  2023204220842	【实用新型】一种MPCVD设备用控温装置	2025/08/11
  2023203062165	【实用新型】一种MPCVD腔合成后表面杂质去除装置	2025/08/11
  2019212281150	【实用新型】一种用于化学气相沉积设备的馈通装置	2025/08/11