发明专利已授权

一种紫外LED芯片及其制备方法

📄 申请号：CN201710640094.2 📄 发布日：2025/10/23

著录项目信息

申请日

2017-07-31

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_02

IPC 分类号

H01L27_02 , H01L27_12 , H01L33_06 , H01L33_36 , H01L33_64 , H01L33_46 , H01L33_00 , H01L33_48 ,

技术画像

所属领域

紫外LED芯片紫外LED芯片半导体光电器件 LED制备工艺

应用场景

紫外杀菌消毒, 紫外固化, 水处理, 医疗光疗, 光催化净化

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摘要

本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构，以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层，进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构，通过凹槽接触层将第一外延结构的N型氮化镓铝层引出，并且紫外LED芯片通过基板上的N电极、P电极和中间电极配合第一外延结构和第二外延结构分别形成了发光二极管和静电保护二极管，该静电保护二极管反向并联连接在发光二极管两端，为紫外LED芯片提供了一条静电释放的通道，减小了静电放电对紫外LED芯片的直接危害，增大了LED的正向电压和抗静电放电打击的强度，从而提高了紫外LED芯片的成品率和可靠性。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种紫外LED外延结构

当前第 / 件

一种LED驱动电路及LED电气指示灯

同领域国内专利 · IPC: (H01L27_02)

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