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本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构，以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层，进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构，通过凹槽接触层将第一外延结构的N型氮化镓铝层引出，并且紫外LED芯片通过基板上的N电极、P电极和中间电极配合第一外延结构和第二外延结构分别形成了发光二极管和静电保护二极管，该静电保护二极管反向并联连接在发光二极管两端，为紫外LED芯片提供了一条静电释放的通道，减小了静电放电对紫外LED芯片的直接危害，增大了LED的正向电压和抗静电放电打击的强度，从而提高了紫外LED芯片的成品率和可靠性。

本发明公开了一种大功率紫外LED芯片共晶焊倒装结构，主要包括LED芯片、矽胶层、封装胶层、透镜和增透膜、反射杯、微型PCB基板、铜层、导电导热胶层和焊盘；所述PCB基板包括上表层、中间层和下表层，所述基板上表层的中部设有一凹槽，所述凹槽内由下往上依次设有第二铜层、SiC层和第二导热胶层。本发明通过改进基板各层顺序及层间结构以获得更好的透光和散热效果，同时最大程度避免光晕现象。本发明还在基板两端处设置电极条，同时对微型PCB基板的结构进行改进，以帮助芯片将热量散发出去，以及在上表层与下表层之间设有填充铜的实心散热孔，均加快了热量的流失。本发明还具有结构合理、对工艺的要求低、容易生产、良品率高、出光率高的优点。