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发明专利
已授权
图像传感器及其形成方法
📄 申请号:CN201810505082.3
📄 发布日:2025/09/08
著录项目信息
申请日
2018-05-24
公开号
CN108878464B
公开日
2020-12-18
申请人
淮安西德工业设计有限公司
法律状态
已下证
专利类型
发明
主分类号
H01L27_146
IPC 分类号
H01L27_146
技术画像
所属领域
半导体器件
半导体器件
图像传感器
半导体制造工艺
应用场景
消费电子, 安防监控, 自动驾驶, 医疗影像, 工业检测
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摘要
本发明技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法。所述图像传感器包括:半导体衬底,所述半导体衬底分为若干区域,各区域的半导体衬底内分别形成有光电器件;所述半导体衬底的各区域分别具有凸出表面,所述凸出表面的宽度与所述光电器件的尺寸相适应;浅沟槽隔离结构,形成在所述半导体衬底内、且位于所述光电器件之间;器件结构,形成在所述半导体衬底上及所述半导体衬底内;反射层,形成在具有凸出表面的半导体衬底上,且暴露出所述浅沟槽隔离结构和器件结构。本发明技术方案提高了图像传感器的量子转换效率。
权利要求书 (12项)
说明书
附图
……
……
图1
图2
图3
法律状态时间线
图像传感器及其形成方法
当前第 / 件
图像传感器及其形成方法
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