发明专利已授权

一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法

📄 申请号：CN202110427051.2 📄 发布日：2026/07/23

著录项目信息

申请日

2021-04-20

公开号

CN115223888B

公开日

2024-09-27

申请人

广东工业大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_67

IPC 分类号

H01L21_67 , H01L21_683 , H01L33_48 ,

技术画像

所属领域

巨量转移技术巨量转移技术芯片转移技术半导体制造工艺

应用场景

微型发光二极管显示, 迷你发光二极管显示, 显示面板制造, 半导体芯片封装

AI 智能推荐 · 同申请人专利 · 搜索相似专利

摘要

本发明涉及半导体加工的技术领域，更具体地，涉及一种等间距的芯片扩张及巨量转移方法，包括以下步骤：S10.选择承载膜，将芯片转移到临时键合胶层；S20.分别沿X方向、Y方向拉伸承载膜，直至X方向、Y方向芯片间距扩张至设定值；S30.激光照射临时键合胶层，芯片脱离临时键合胶层并转移至承载基板的焊盘上；S40.重复步骤S10～S30，依次完成多种类型芯片的巨量转移；步骤S20在进行拉伸扩张的过程中，对芯片间距进行实时同步检测；对芯片间距存在偏差的区域，局部修正芯片在阵列中的位置及间距误差，使得所有芯片间距达到所需间距。本发明在拉伸扩张过程中，对芯片间距存在偏差的区域进行修正，使得所有芯片间距达到所需间距，实现芯片的均匀扩张和巨量精准转移。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

陶瓷颗粒强化难熔高熵合金的制备(高校材料科学与工程)

当前第 / 件

一种通孔、盲孔互连结构成型工艺

同领域国内专利 · IPC: (H01L21_67)

H01L21_02 H01L21_027 H01L21_04 H01L21_18 H01L21_20 H01L21_208 H01L21_28 H01L21_288 H01L21_302 H01L21_304 H01L21_306 H01L21_3065 H01L21_311 H01L21_324 H01L21_329 H01L21_331 H01L21_335 H01L21_336 H01L21_34 H01L21_368 H01L21_48 H01L21_50 H01L21_54 H01L21_56 H01L21_60 H01L21_603 H01L21_66 H01L21_67 H01L21_673 H01L21_677 H01L21_68 H01L21_683 H01L21_687 H01L21_762 H01L21_768 H01L21_78 H01L21_82 H01L21_8238 H01L21_8244 H01L21_98 覆盖40个领域

相似专利推荐 AI 驱动 · 同领域

暂无同领域相似专利推荐

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：36 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

✓ 企业认证✓ 手机绑定历史成交 0件好评率 98.5%

📊 出价记录 (3条)

王**¥-10万

李** 企业¥-8万

陈**¥-3万

查看全部出价

我要出价 (议价)