摘要
本发明公开了一种紧凑型雾化辅助CVD薄膜制备装置,包括机箱,该机箱上滑动设有雾化单元、缓冲腔体、加热单元和尾气收集单元,所述雾化单元与缓冲腔体连通,石英腔体的一端与所述缓冲腔体连通,另一端与尾气收集单元连通,所述石英腔体内设衬底样品,所述石英腔体穿设在所述加热单元并通过该加热单元进行加热,前驱体溶液经过所述雾化单元雾化后进入所述缓冲腔体,由所述缓冲腔体进入所述石英腔体内进行薄膜制备。本方案加热单元整体可以移动,不仅可以有效改变石英腔体内薄膜沉积区域竖直方向的温度梯度,而且水平方向也具有温度场可调整性,这对于探索薄膜生长机制提供了条件。