发明专利已授权

一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件

📄 申请号：CN201910023563.5 📄 发布日：2026/06/04

著录项目信息

申请日

2019-01-10

公开号

CN109742090B

公开日

2020-09-01

申请人

重庆邮电大学

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_12

IPC 分类号

H01L27_12 , H01L29_06 , H01L29_08 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件半导体器件结构功率集成电路

应用场景

电源管理, 功率变换, 电动汽车, 工业电机驱动, 新能源发电

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摘要

本发明公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC‑LIGBT器件，包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区；LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制，LIGBT有源区沟道受栅极Ⅱ控制，金属集电极Ⅰ与金属集电极Ⅱ相连。具有以下优点：在正向导通时消除snapback效应；由于LDMOS区中集电极N‑Collector的存在，在反向导通时使其具有反向导通能力，由于无集电极P‑Collector对电流的阻挡作用，复合型RC‑LIGBT的反向导通能力优于传统RC‑LIGBT。本发明的复合型RC‑LIGBT工艺与传统RC‑LIGT工艺兼容，只需要版图设计，无需额外工艺。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

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