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| 专利/申请号： | CN201910291073.3 | 专利名称： | 半导体结构及其形成方法 |
| 申请日： | 2019-04-11 | 申请/专利权人 | 黑龙江省水利学校(黑龙江水利高级技工学校) |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 黑龙江省大庆市萨尔图区中兴北街23号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L27/11517 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2024-08-30 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN221618682U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 4 | 所属领域： | 半导体器件制造 集成电路工艺专利转让搜索 |
应用场景：先进制程芯片生产;三维堆叠封装;高性能计算芯片制造;纳米级器件加工
摘 要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底表面形成复合结构，所述复合结构包括若干层复合层，且所述若干层复合层沿基底表面法线方向重叠，每一层复合层包括第一材料层以及位于第一材料层表面的第二材料层，且第一材料层的材料和第二材料层的材料不同；形成贯穿所述复合结构的第一开口，所述第一开口暴露出基底表面；刻蚀第一开口四周的第二材料层，分别在各个所述第二材料层内形成第一凹槽；在所述第一开口和第一凹槽内形成第一互联结构。所述方法工艺步骤简单，节省了制备成本。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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