发明专利已授权

隔离结构及其形成方法，图像传感器及其制造方法

📄 申请号：CN201910145468.2 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2019-02-27

公开号

CN110010634B

公开日

2021-07-06

申请人

淮安西德工业设计有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_146

IPC 分类号

H01L27_146

技术画像

所属领域

图像传感器图像传感器半导体器件隔离结构半导体制造工艺

应用场景

消费电子, 汽车电子, 安防监控, 医疗成像, 机器视觉

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摘要

本发明技术方案公开了一种隔离结构及其形成方法，图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底内形成有分立的光电二极管和沟槽隔离结构，所述光电二极管位于所述沟槽隔离结构之间；对应于所述沟槽隔离结构的隔离结构，包括位于所述半导体衬底上的相移层和位于所述相移层上的金属栅格，所述金属栅格包括位于所述相移层上的金属层，所述相移层宽于所述金属栅格；滤光层，位于所述隔离结构之间。本发明技术方案能够有效改善光线串扰。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置

当前第 / 件

图像传感器及其形成方法和操作方法

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