发明专利已授权

一种倾斜栅极背照式CMOS图像传感器

📄 申请号：CN201910432896.3 📄 发布日：2025/09/08

著录项目信息

申请日

2019-05-23

公开号

CN110112166B

公开日

2021-07-13

申请人

淮安西德工业设计有限公司

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L27_146

IPC 分类号

H01L27_146

技术画像

所属领域

CMOS图像传感器图像传感器 CMOS半导体器件像素结构 CMOS图像传感器

应用场景

消费电子, 安防监控, 机器视觉, 自动驾驶, 医疗影像

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摘要

本发明公开了一种背照式CMOS图像传感器，包括：N个光电二极管；一个传送开关，所述传送开关包括一个栅极以及所述栅极下方的N个彼此电隔离的沟道区；以及N个浮空节点，其中所述N个光电二极管中的每一个通过所述传送开关的对应的一个沟道区连接到所述N个浮空节点中的对应的一个。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种图像传感器及其制造方法

当前第 / 件

晶片堆叠结构及其制造方法以及图像感测装置

同领域国内专利 · IPC: (H01L27_146)

H01L27_01 H01L27_02 H01L27_04 H01L27_06 H01L27_07 H01L27_108 H01L27_112 H01L27_11507 H01L27_11517 H01L27_12 H01L27_144 H01L27_146 H01L27_15 H01L27_30 H01L27_32 覆盖15个领域

议价

不含过户费

📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：在售 👁️ 浏览次数：131 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

资金托管权属尽调包过户

🏢 淄博智来知识产权服务有限公司

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