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摘 要:本发明涉及全控型电压驱动式功率半导体器件领域;公开了一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法,该方法包括以下处理步骤:基于待优化的压接式IGBT器件,选取设计目标和约束;提取应力分析相关结构并给定分析参数;建立热力耦合有限元模型;建立IGBT器件性能函数;构建IGBT器件性能稳健性优化模型;求解性能稳健性优化模型;基于最优解,构建IGBT器件的最优结构设计方案。与现有技术相比,所提方法中给出性能稳健性优化设计模型及求解方法,兼顾了芯片最大接触应力和最小典型接触应力,考虑了芯片热载荷的随机过程,为随机载荷下的IGBT性能稳健性优化提供了一种高效的设计工具。
著 录 项:
专利/申请号: | CN202010397865.1 | 专利名称: | 一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法 |
申请日: | 2020-05-12 | 申请/专利权人 | 湖南城市学院 |
专利类型: | 发明 | 地址: | 湖南省益阳市迎宾东路518号 |
专利状态: | 已下证 查询审查信息 | 分类号: | G06F30/3308搜分类 电力搜索 |
公开/公告日: | 2023-04-11 | 转让价格: | 面议 |
公开/公告号: | CN111581901B | 交易状态: | 等待洽谈 搜索相似专利 |
交易方 | 企业 | 个人 |
买家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(签字) |
专利转让委托书(需盖公章)一式两份 | 专利转让委托书(需签字)一式两份 | |
专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
卖家 | 营业执照副本复印件(需盖公章) | 身份证复印件(需申请人签字) |
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专利转让协议(需盖公章)一式两份 | 专利转让协议(需签字)一式两份 | |
专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
专利证原件(若授权下证) | 专利证原件(若授权下证) |
日期 | 法律信息 | 备注 |