发明专利已授权

一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法

📄 申请号：CN202010397865.1 📄 发布日：2025/08/26

著录项目信息

申请日

2020-05-12

公开号

CN111581901B

公开日

2023-04-11

申请人

湖南城市学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

G06F30_3308

IPC 分类号

G06F30_3308 , G06F119_08 , G06F119_14 ,

技术画像

所属领域

功率半导体器件功率半导体器件电子封装设计可靠性优化设计

应用场景

电力电子, 新能源汽车, 轨道交通, 工业变频, 智能电网

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摘要

本发明涉及全控型电压驱动式功率半导体器件领域；公开了一种随机载荷下压接式IGBT器件性能稳健性优化设计方法，该方法包括以下处理步骤：基于待优化的压接式IGBT器件，选取设计目标和约束；提取应力分析相关结构并给定分析参数；建立热力耦合有限元模型；建立IGBT器件性能函数；构建IGBT器件性能稳健性优化模型；求解性能稳健性优化模型；基于最优解，构建IGBT器件的最优结构设计方案。与现有技术相比，所提方法中给出性能稳健性优化设计模型及求解方法，兼顾了芯片最大接触应力和最小典型接触应力，考虑了芯片热载荷的随机过程，为随机载荷下的IGBT性能稳健性优化提供了一种高效的设计工具。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

一种金属氧化物半导体气体传感器结构优化设计方法

当前第 / 件

一种锂离子软包电池单体内部温度压力估计方法

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