实用新型已授权

一种半导体器件

📄 申请号：CN202120589087.6 📄 发布日：2025/08/14

著录项目信息

申请日

2021-03-19

公开号

CN214588808U

公开日

2021-11-02

申请人

法律状态

已下证

专利类型

实用新型

主分类号

H01L21_76

IPC 分类号

H01L21_76 , H01L21_027 ,

技术画像

所属领域

半导体半导体

应用场景

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摘要

本实用新型提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括衬底以及在衬底上设置的外延层，外延层用于形成具有多个沟槽的半导体图案层，在外延层上设置有多个凸台结构，每个凸台结构包括隔离凸台和环设于隔离凸台周侧的牺牲层，隔离凸台用于定义相邻两个沟槽的隔断区。以此通过牺牲层来对光刻胶层在凸台结构表面的收缩进行预先补偿，使得隔离凸台能够在图案化光刻胶层具有一定收缩的情况依然可以得到较好的保留，从而避免未考虑光刻胶收缩时直接使凸台结构作为隔离凸台，导致最终形成的隔离凸台被过刻蚀，进而容易引发沟槽底部桥接的现象。

常见问题

这项专利是否已经下证？

是的，该专利已下证，法律状态为“已下证”，公开号： CN214588808U

购买这项专利需要经过哪些流程？

平台提供担保交易、全程代办转让手续。买家可委托平台代购，平台协助完成权属尽调、合同签署、国家知识产权局著录项目变更等流程。

该专利的转让价格是多少？

当前标价为议价，可委托平台代购或预约谈判。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20250919

?? 专利权的转移：

20211102

✅ 授权

化学机械研磨抛光机台

当前第 / 件

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📋 交易方式： 委托待转让 📌 交易状态：已下架 👁️ 浏览次数：33 ❤️ 收藏人数：93 📋 项目申报： 未申报

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