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| 专利/申请号： | CN202120589087.6 | 专利名称： | 一种半导体器件 |
| 申请日： | 2021-03-19 | 申请/专利权人 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 |
| 专利类型： | 实用新型 | 地址： | 山东省济南市高新区机场路7617号411-2-9室 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | 分类号： | H01L21/76 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-11-02 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN214588808U | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 9 | 所属领域： | 半导体专利转让搜索 |
摘 要：本实用新型提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括衬底以及在衬底上设置的外延层，外延层用于形成具有多个沟槽的半导体图案层，在外延层上设置有多个凸台结构，每个凸台结构包括隔离凸台和环设于隔离凸台周侧的牺牲层，隔离凸台用于定义相邻两个沟槽的隔断区。以此通过牺牲层来对光刻胶层在凸台结构表面的收缩进行预先补偿，使得隔离凸台能够在图案化光刻胶层具有一定收缩的情况依然可以得到较好的保留，从而避免未考虑光刻胶收缩时直接使凸台结构作为隔离凸台，导致最终形成的隔离凸台被过刻蚀，进而容易引发沟槽底部桥接的现象。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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