发明专利已授权

一种应力可控的应力硅及其制备方法

📄 申请号：CN202110494400.2 📄 发布日：2026/06/22

著录项目信息

申请日

2021-05-07

公开号

CN113380711A

公开日

2021-09-10

申请人

三明学院

法律状态

已下证

专利类型

发明

主分类号

H01L21_8238

IPC 分类号

H01L21_8238 , H01L27_092 , H01L29_06 ,

技术画像

所属领域

半导体材料半导体材料集成电路制造工艺应力工程

应用场景

集成电路制造, 先进制程, 高性能半导体器件, 场效应晶体管, 晶圆制造

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摘要

一种应力可控的应力硅及其制备方法，涉及应力硅技术领域。制备方法包括：在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；非晶硅生长窗口均呈矩形，且非晶硅生长窗口在硅波导区呈矩形阵列分布；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。这样使制备得到的应力可控的应力硅提高了应力硅的载流子迁移率，提升了器件的工作频率，具有一阶电光效应，在硅中产生拉应力使硅的带隙减小，能够对C通信波段的信号光产生吸收。

权利要求书 (12项) 说明书附图

……

图1

图2

图3

法律状态时间线

20230728

✅ 授权

20210928

?? 实质审查的生效：

20210910

📄 公开

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