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| 专利/申请号： | CN202110494400.2 | 专利名称： | 一种应力可控的应力硅及其制备方法 |
| 申请日： | 2021-05-07 | 申请/专利权人 | 三明学院 |
| 专利类型： | 发明 | 地址： | 福建省三明市三元区荆东路25号 |
| 专利状态： | 已下证 查询审查信息 | IPC分类号： | H01L21/8238 分类检索 |
| 公开/公告日： | 2021-09-10 | 转让价格： | 【平台担保交易】 |
| 公开/公告号： | CN113380711A | 交易状态： | 等待洽谈 搜索相似专利 |
| 浏览量： | 8 | 所属领域： | 半导体材料制备 集成电路制造专利转让搜索 |
应用场景：半导体器件制造中的应力控制;提高晶体管性能;集成电路制程优化
摘 要：一种应力可控的应力硅及其制备方法，涉及应力硅技术领域。制备方法包括：在硅波导区蚀刻形成非晶硅生长窗口，非晶硅生长窗口由硅波导区的上表面蚀刻形成；非晶硅生长窗口均呈矩形，且非晶硅生长窗口在硅波导区呈矩形阵列分布；在非晶硅生长窗口中沉积非晶硅，并在沉积的非晶硅表面覆盖二氧化硅层；以波长为488nm的光辐照非晶硅生长窗口使非晶硅生长窗口中的非晶硅的至少一部分转变为单晶硅。这样使制备得到的应力可控的应力硅提高了应力硅的载流子迁移率，提升了器件的工作频率，具有一阶电光效应，在硅中产生拉应力使硅的带隙减小，能够对C通信波段的信号光产生吸收。
| 交易方 | 企业 | 个人 |
| 买家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（签字） |
| 专利转让委托书（需盖公章）一式两份 | 专利转让委托书（需签字）一式两份 | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 卖家 | 营业执照副本复印件（需盖公章） | 身份证复印件（需申请人签字） |
| 解除代理委托书（需盖公章）一式两份（如专利通过代理机构申请） | 解除代理委托书（需签字）一式两份（如专利通过代理机构申请） | |
| 专利转让协议（需盖公章）一式两份 | 专利转让协议（需签字）一式两份 | |
| 专利请求书或手续合格通知书、授权通知书复印件 | 专利请求书或手续合格通知书、专利授权通知书复印件 | |
| 专利证原件（若授权下证） | 专利证原件（若授权下证） |
| 日期 | 法律信息 | 备注 |
| 申请号 | 专利名称 | 发布日期 |
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