半导体材料制备类专利转让_商标转让

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专利名称：一种半导体材料制备扩散炉申请号：2024200299845 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：实用新型关键词：半导体半导体材料制备相似专利发布日：2024/12/09
摘要：本实用新型公开了一种半导体材料制备扩散炉，涉及半导体生产领域。本实用新型包括炉体，炉体的内壁设置有螺旋状的电加热丝，炉体的底面贯穿有进气管，进气管的管壁位于炉体的内壁固定连接有多个喷头，炉体的内壁设置有截面呈L型的支撑筒，支撑筒的内壁固定连接有多个放置盘，支撑筒的内壁开设有若干间隔排列的通气孔，炉体内壁的上侧卡接有炉盖，炉体右面从上至下依次固定连接有呈L型的出气管、冷却筒、净化箱，冷却筒的内壁设置有包覆范围可变的冷却装置，净化箱的内壁设置有包覆范围可变的净化装置。本实用新型所产生的废气经过冷却和净化后再排出，避免对外部环境造成影响，保证人体的正常作业活动。

专利名称：一种单晶硅炉申请号：2021111985416 转让价格：面议收藏
法律状态：已下证类型：发明关键词：半导体材料制备半导体材料生产晶体生长设备单晶硅生产石英坩埚单晶硅棒加工非金属元素相似专利发布日：2025/01/20
摘要：本发明公布了一种单晶硅炉，包括炉本体和旋转提拉驱动组件，所述炉本体内设置有石英坩埚和加热器；所述旋转提拉驱动组件包括提拉气缸、导气盒、旋转部件以及提拉管，其中，所述导气盒配置在所述炉本体的外部，其内设置有导气腔，外壁设置有与所述导气腔连通的第一接头，所述第一接头用于连接配重源装置，所述提拉管为中空的长管结构，其一端与所述导气腔连通，另一端设置有闭合该中空长管开口的提拉头，所述提拉头伸入所述炉本体内；所述旋转部件用于驱动所述提拉管旋转，所述提拉气缸的输出端连接所述导气盒，用于驱动所述提拉头完成拉引工序；本发明提出一种单晶硅炉，克服了过去晶体在高晶转下生长易晃动的缺点，有效改善晶体的径向均匀性。

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