专利名称：一种用于高纯硅晶体材料制备的蒸馏设备      申请号：2023210469299     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体材料制备 化学气相沉积 CVD 工艺 工业蒸馏技术   相似专利 发布日：2025/10/23  

应用场景：高纯多晶硅提纯生产;光伏级单晶硅制造;电子级硅材料精炼

专利名称：一种直拉型单晶炉用的环形加热器      申请号：2023220410395     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体材料制备 单晶生长设备   相似专利 发布日：2025/09/22  

应用场景：直拉单晶硅生产;光伏晶体制造;集成电路用单晶材料制备

专利名称：一种用于单晶炉的后续加料结构      申请号：2023218845261     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体材料制备 晶体生长设备   相似专利 发布日：2025/09/22  

应用场景：单晶硅生产过程中的连续加料;光伏产业链中的单晶制造环节

专利名称：一种半导体材料制备扩散炉      申请号：2024200299845     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：实用新型   关键词：半导体 半导体材料制备   相似专利 发布日：2024/12/09  
摘要： 本实用新型公开了一种半导体材料制备扩散炉，涉及半导体生产领域。本实用新型包括炉体，炉体的内壁设置有螺旋状的电加热丝，炉体的底面贯穿有进气管，进气管的管壁位于炉体的内壁固定连接有多个喷头，炉体的内壁设置有截面呈L型的支撑筒，支撑筒的内壁固定连接有多个放置盘，支撑筒的内壁开设有若干间隔排列的通气孔，炉体内壁的上侧卡接有炉盖，炉体右面从上至下依次固定连接有呈L型的出气管、冷却筒、净化箱，冷却筒的内壁设置有包覆范围可变的冷却装置，净化箱的内壁设置有包覆范围可变的净化装置。本实用新型所产生的废气经过冷却和净化后再排出，避免对外部环境造成影响，保证人体的正常作业活动。

专利名称：一种单晶硅炉      申请号：2021111985416     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体材料制备 半导体材料生产 晶体生长设备 单晶硅生产 石英坩埚 单晶硅棒加工 非金属元素   相似专利 发布日：2025/09/18  

应用场景：直拉法单晶硅棒规模化生产;光伏产业上游原料供应;集成电路用高纯度硅晶体制造

专利名称：一种应力可控的应力硅及其制备方法      申请号：2021104944002     转让价格：面议  收藏
法律状态：已下证   类型：发明   关键词：半导体材料制备 集成电路制造   相似专利 发布日：2025/10/15  

应用场景：半导体器件制造中的应力控制;提高晶体管性能;集成电路制程优化